[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201310215728.1 | 申请日： | 2013-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN104217949A | 公开（公告）日： | 2014-12-17 |
| 发明（设计）人： | 殷华湘;朱慧珑 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，包括：多个鳍片，位于衬底上且沿第一方向延伸；栅极堆叠，沿第二方向延伸并且跨越了每个鳍片；栅极侧墙，位于鳍片上，且位于栅极堆叠的沿第一方向的两侧，包括第一侧墙材料层构成的第一侧墙以及第二侧墙材料层构成的第二侧墙，其中第一侧墙具有L型形貌；源漏扩展区，位于鳍片中，且位于栅极堆叠的沿第一方向的两侧。依照本发明的半导体器件及其制造方法，在鳍片侧壁形成了复合的多层栅极侧墙，提高了SDE横向宽度的控制精度并且同时能保护鳍片顶部以减小缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件制造方法，包括：在衬底上沿第一方向延伸的多个鳍片；在鳍片上形成沿第二方向延伸的栅极堆叠；在整个器件上形成第一侧墙材料层；对鳍片进行轻掺杂，在栅极堆叠的沿第一方向的侧面形成源漏扩展区；在整个器件上形成第二侧墙材料层；刻蚀第二侧墙材料层以及第一侧墙材料层，在栅极堆叠的沿第一方向的侧面形成栅极侧墙。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310215728.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：涂敷方法以及装置
- 下一篇：具有滤筒和外壳接口的流体过滤器组合件
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
