[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201310215728.1 | 申请日： | 2013-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN104217949A | 公开（公告）日： | 2014-12-17 |
| 发明（设计）人： | 殷华湘;朱慧珑 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件制造方法，包括：
在衬底上沿第一方向延伸的多个鳍片；
在鳍片上形成沿第二方向延伸的栅极堆叠；
在整个器件上形成第一侧墙材料层；
对鳍片进行轻掺杂，在栅极堆叠的沿第一方向的侧面形成源漏扩展区；
在整个器件上形成第二侧墙材料层；
刻蚀第二侧墙材料层以及第一侧墙材料层，在栅极堆叠的沿第一方向的侧面形成栅极侧墙。
2.如权利要求1的半导体器件制造方法，其中，在形成栅极堆叠之前进一步包括：在鳍片中和/或底部形成穿通阻挡层。
3.如权利要求1的半导体器件制造方法，其中，调整第一侧墙材料层的厚度以便控制源漏扩展区的横向宽度。
4.如权利要求3的半导体器件制造方法，其中，第一侧墙材料层的厚度为1～5nm。
5.如权利要求1的半导体器件制造方法，其中，第一和/或第二侧墙材料层的材料选自氮化硅、氮氧化硅、氧化硅、含碳氧化硅、非晶碳、低k材料、类金刚石无定形碳（DLC）、空气及其组合。
6.如权利要求1的半导体器件制造方法，其中，栅极侧墙包括第一侧墙材料层构成的第一侧墙以及第二侧墙材料层构成的第二侧墙，其中第一侧墙具有L型形貌。
7.如权利要求1的半导体器件制造方法，其中，第二侧墙材料层为多层层叠结构。
8.一种半导体器件，包括：
多个鳍片，位于衬底上且沿第一方向延伸；
栅极堆叠，沿第二方向延伸并且跨越了每个鳍片；
栅极侧墙，位于鳍片上，且位于栅极堆叠的沿第一方向的两侧，包括第一侧墙材料层构成的第一侧墙以及第二侧墙材料层构成的第二侧墙，其中第一侧墙具有L型形貌；
源漏扩展区，位于鳍片中，且位于栅极堆叠的沿第一方向的两侧。
9.如权利要求8的半导体器件，其中，在鳍片中和/或底部进一步包括穿通阻挡层。
10.如权利要求8的半导体器件，其中，第一侧墙材料层的厚度为1～5nm。
11.如权利要求8的半导体器件，其中，第一和/或第二侧墙材料层的材料选自氮化硅、氮氧化硅、氧化硅、含碳氧化硅、非晶碳、低k材料、类金刚石无定形碳（DLC）、空气及其组合。
12.如权利要求8的半导体器件，其中，第二侧墙材料层为多层层叠结构。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
