[发明专利]一种通过电流编程防止TSV过电镀的方法无效
| 申请号： | 201310212578.9 | 申请日： | 2013-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN103280426A | 公开（公告）日： | 2013-09-04 |
| 发明（设计）人： | 程万;王竹;伍恒;于大全 | 申请（专利权）人： | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;C25D21/12 |
| 代理公司： | 上海海颂知识产权代理事务所(普通合伙) 31258 | 代理人： | 任益 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市菱*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及微电子技术领域一种制造或处理半导体或固体器件的方法，具体涉及利用互连在器件中的分离元件间传输电流过程中使用的一种电镀方法。本发明要解决的技术问题是提供一种克服上述TSV过电镀现象的工艺方法。本发明方法的要点在于当电镀填充的导电金属占整个TSV高度达到一定比例时开始减小电流，防止过电镀的发生。减小电流的方式可以是以线性的方式均匀减小或以某种非线性的方式减小，或以减小方波占空比的方式。通过电流控制器来控制电流的大小可以实现TSV被电镀的导电金属填满而又不发生过电镀的状态，从而降低后续CMP工艺的难度，并降低制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 通过 电流 编程 防止 tsv 电镀 方法 | ||
【主权项】：
一种通过电流编程防止TSV过电镀的方法，包括以下步骤：（1）在带有TSV 通孔的半导体衬底进行介质层沉积；（2）在上述TSV 通孔内介质层的上面沉积一层金属种子层；（3）将半导体衬底沉浸在电镀液里，通过可编程的电流控制器控制电镀的电流，进行TSV自底部到顶部的电镀；其特征在于所述第3)步骤中，当电镀填充的导电金属占整个TSV高度达到一定比例时开始减小电流，防止过电镀的发生。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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