[发明专利]一种通过电流编程防止TSV过电镀的方法

权利要求书

1.一种通过电流编程防止TSV过电镀的方法，包括以下步骤：

（1）在带有TSV 通孔的半导体衬底进行介质层沉积；

（2）在上述TSV 通孔内介质层的上面沉积一层金属种子层；

（3）将半导体衬底沉浸在电镀液里，通过可编程的电流控制器控制电镀的电流，进行TSV自底部到顶部的电镀；

其特征在于所述第3)步骤中，当电镀填充的导电金属占整个TSV高度达到一定比例时开始减小电流，防止过电镀的发生。

2.如权利要求1所述的防止TSV过电镀的方法，其特征在于：所述减小电流的方式是以线性的方式均匀减小或以某种曲线的方式减小。

3.如权利要求1所述的防止TSV过电镀的方法，其特征在于当所述可编程的电流控制器的输出是一定占空比的方波电流时，所述减小电流的方式是控制占空比使其以线性的方式均匀减小或以某种曲线的方式减小。

4.如权利要求1至3所述的任一项防止TSV过电镀的方法，其特征在于所述导电金属占整个TSV高度达到一定比例的数值范围为60%—95%之间。

5.如权利要求1至3所述的任一项防止TSV过电镀的方法，其特征在于对所述开始减小电流之前的电流控制方式不做限定，可以是恒定值、持续增加或波动式。