[发明专利]借由倾斜注入在P沟道晶体管的主动区域中形成源极与漏极架构有效
| 申请号： | 201310208524.5 | 申请日： | 2013-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN103456629A | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | T·沙伊佩 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L29/772 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
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| 摘要： | 本发明涉及借由倾斜注入在P沟道晶体管的主动区域中形成源极与漏极架构，在主动区域往往相对周围隔离区域具有明显表面形貌的复杂P沟道晶体管中，在形成深源极与漏极区域时借由倾斜注入可获得优越的性能。较佳地，倾斜角度为20度角或更小。较佳地，该角度是作为为朝向栅极电极结构的方向，从而实质上避免将横向掺杂物过度穿透到敏感的沟道区域中。 | ||
| 搜索关键词： | 倾斜 注入 沟道 晶体管 主动 区域 形成 架构 | ||
【主权项】：
一种方法，其包括：将注入工序在存在栅极电极结构的情况下执行，以透过半导体器件的p沟道晶体管的主动区域的第一侧壁与第二侧壁引入源极与漏极掺杂物种类，该主动区域将借由相对该主动区域凹入的隔离区域横向包覆，其中，该第一与第二侧壁定义该主动区域的宽度；以及将金属硅化物形成在该主动区域中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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