[发明专利]借由倾斜注入在P沟道晶体管的主动区域中形成源极与漏极架构

权利要求书

1.一种方法，其包括：

将注入工序在存在栅极电极结构的情况下执行，以透过半导体器件的p沟道晶体管的主动区域的第一侧壁与第二侧壁引入源极与漏极掺杂物种类，该主动区域将借由相对该主动区域凹入的隔离区域横向包覆，

其中，该第一与第二侧壁定义该主动区域的宽度；以及

将金属硅化物形成在该主动区域中。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，执行该注入工序包括使用相对该主动区域的法线具有20度角或更小值的倾斜角度。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，该倾斜角度值被选择为15度角或更小。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，该倾斜角度值是选择在8.5度角至12.5度角的范围内。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，执行该注入工序还包括将源极与漏极区域形成在该主动区域中。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该注入工序是以具有相对垂直于该主动区域的顶部表面并平行于宽度方向的平面的条件下实质上未倾斜地执行。

7.如权利要求1所述的方法，还包括将注入掩膜使用在执行该注入工序时以覆盖第二主动区域，其中，该第二主动区域上形成有不平行于该栅极电极结构的第二栅极电极结构。

8.如权利要求7所述的方法，还包括：

从该第二主动区域去除该注入掩膜，并形成进一步的注入掩膜来屏蔽该主动区域，以及

执行第二注入工序以透过第二p沟道晶体管的该第二主动区域的第一侧壁与第二侧壁引入该源极与漏极掺杂物种类，

其中，该第二主动区域的该第一与第二侧壁定义该第二主动区域的宽度。

9.如权利要求1所述的方法，还包括将半导体合金在执行该注入工序前藉由外延生长工序形成在该主动区域的至少一部分中。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，形成该半导体合金包括将压缩应力诱导半导体合金形成在该主动区域中。

11.如权利要求9所述的方法，其特征在于，形成该半导体合金包括将阈值电压调整半导体合金形成在该主动区域中。

12.一种方法，其包括：

将栅极电极结构形成在半导体器件的主动区域上，该主动区域具有长度及宽度并将借由相对该主动区域凹入的隔离区域横向界定；

将源漏掺杂物种类藉由执行注入工序引入该主动区域中，该注入工序包括相对该主动区域的顶部表面的法线的至少两个不同的倾斜角度，并且定义成垂直于该主动区域的该顶部表面并平行于宽度方向的第一平面中，该注入工序还包括无变化注入角度，该无变化注入角度定义成垂直于该顶部表面并垂直于该宽度方向的第二平面中；以及将金属硅化物形成在该主动区域的一部分中。

13.如权利要求12所述的方法，其特征在于，该至少两个不同的倾斜角度中的两个分别具有相同的值与不同的方向。

14.如权利要求12所述的方法，其特征在于，该至少两个不同的倾斜角度中的每一个的值在8.5度角至20度角的范围内。

15.如权利要求14所述的方法，其特征在于，该至少两个不同的倾斜角度中的每一个的值为15度角或更小。

16.如权利要求12所述的方法，其特征在于，形成该栅极电极结构包括将间隔件结构在在执行该注入工序前形成，并将该间隔件结构的至少部分使用作为掩膜。

17.如权利要求12所述的方法，还包括将半导体合金在执行该注入工序前形成在该主动区域中的至少一部分。

18.如权利要求12所述的方法，还包括将注入掩膜在执行该注入工序时使用于覆盖第二主动区域，其中，该第二主动区域上形成有不平行于该栅极电极结构的第二栅极电极结构。

19.如权利要求18所述的方法，还包括将该注入掩膜从该第二主动区域去除，并形成进一步的注入掩膜来屏蔽该主动区域以及执行第二注入工序。

20.一种半导体器件，包括：

隔离区域，形成在基板上方；

P沟道晶体管的含硅主动区域，由该隔离区域横向包覆、该隔离区域相对该含硅主动区域凹入、该含硅主动区域具有借由一对第一侧壁界定的长度以及借由一对第二侧壁界定的宽度；

栅极电极结构，形成于该含硅主动区域上；

源极与漏极区域，该源极与漏极区域包括在该第一侧壁处的第一平均掺杂物浓度，并且该第一平均掺杂物浓度低于在该第二侧壁处的第二平均掺杂物浓度；以及

金属硅化物，形成于该含硅半导体区域的一部分中，该金属硅化物位于该源极与漏极区域内。