[发明专利]提升MOSFET性能和NBTI的方法和结构有效
| 申请号： | 201310206600.9 | 申请日： | 2013-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN103730370B | 公开（公告）日： | 2017-03-01 |
| 发明（设计）人： | 庄学理;陈柏年;吴伟成;杨宝如 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/10;H01L29/36 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了提升MOSFET性能和NBTI的方法和结构，并公开了形成p型场效晶体管（pFET）结构的方法的一个实施例。该方法包括在半导体衬底上形成掩模层，掩模层包括开口，开口露出半导体衬底的半导体区；通过掩模层的开口对半导体衬底执行n型掺杂物的离子注入，在半导体区内形成n型阱（n阱）；以及穿过掩模层的开口对半导体衬底执行锗（Ge）沟道注入，在n阱中形成Ge沟道注入区。 | ||
| 搜索关键词： | 提升 mosfet 性能 nbti 方法 结构 | ||
【主权项】：
一种形成p型场效晶体管(pFET)结构的方法，所述方法包括：在半导体衬底上形成掩模层，所述掩模层包括开口，所述开口露出其中的所述半导体衬底的半导体区；穿过所述掩模层的所述开口对所述半导体衬底执行n型掺杂物的离子注入，在所述半导体区内形成n型阱(n阱)；以及穿过所述掩模层的所述开口对所述半导体衬底执行锗(Ge)沟道注入，在所述n型阱中形成Ge沟道注入区，其中最大的Ge掺杂浓度远离所述半导体衬底的顶面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
