[发明专利]半导体测试结构及测试方法有效
| 申请号： | 201310206572.0 | 申请日： | 2013-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN104183574B | 公开（公告）日： | 2017-02-08 |
| 发明（设计）人： | 甘正浩;冯军宏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;G01R31/12 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体测试结构及测试方法，所述半导体测试结构包括第一梳状测试电极和第二梳状测试电极，所述第一梳状测试电极和第二梳状测试电极的梳齿金属线交错相嵌；位于所述第一梳状测试电极和第二梳状测试电极之间的蛇形测试电极，所述蛇形测试电极将第一梳状测试电极和第二梳状测试电极的梳齿金属线相隔离，且所述蛇形测试电极与两侧的第一梳状测试电极、第二梳状测试电极电学隔离；所述蛇形测试电极的两端与第一测试端相连接，所述蛇形测试电极的中间位置与第二测试端相连接，且所述第一测试端和第二测试端相连接。由于所述第一测试端和第二测试端相连接，使得所述蛇形测试电极各个位置的电压相等，可以提高测试结果的精确性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 测试 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体测试结构，其特征在于，包括：基底，位于所述基底表面的第一层间介质层；位于所述第一层间介质层表面的第一梳状测试电极和第二梳状测试电极，所述第一梳状测试电极和第二梳状测试电极相对设置且所述第一梳状测试电极和第二梳状测试电极的梳齿金属线交错相嵌；位于所述第一梳状测试电极和第二梳状测试电极之间的蛇形测试电极，所述蛇形测试电极将第一梳状测试电极和第二梳状测试电极的梳齿金属线相隔离，且所述蛇形测试电极与两侧的第一梳状测试电极、第二梳状测试电极电学隔离；所述蛇形测试电极的两端与第一测试端相连接，所述蛇形测试电极的中间位置与第二测试端相连接，且所述第一测试端和第二测试端相连接。
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