[发明专利]具有应变阱区的FinFET有效
| 申请号： | 201310206536.4 | 申请日： | 2013-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN104009080A | 公开（公告）日： | 2014-08-27 |
| 发明（设计）人： | 李宜静;吴政宪;柯志欣;万幸仁 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种器件，包括衬底和位于衬底的一部分上方的隔离区。第一半导体区位于隔离区之间并且具有第一传导带。第二半导体区位于所述第一半导体区上方并与所述第一半导体区邻接，其中第二半导体区包括高于隔离区的顶面的上部以形成半导体鳍。半导体鳍具有拉伸应变并且具有低于第一传导带的第二传导带。第三半导体区位于所述半导体鳍的顶面和侧壁上并与之邻接，其中所述第三半导体区具有比第二传导带高的第三传导带。本发明还公开了一种具有应变阱区的FinFET。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 应变 finfet | ||
【主权项】：
一种器件，包括：衬底；位于所述衬底的一部分上方的隔离区；位于所述隔离区之间的第一半导体区，所述第一半导体区具有第一传导带；位于所述第一半导体区上方并与所述第一半导体区邻接的第二半导体区，其中，所述第二半导体区包括高于所述隔离区的顶面的上部以形成半导体鳍，所述半导体鳍具有拉伸应变并具有低于所述第一传导带的第二传导带；以及位于所述半导体鳍的顶面和侧壁上方并与所述半导体鳍的顶面和侧壁邻接的第三半导体区，其中，所述第三半导体区具有比所述第二传导带高的第三传导带。
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