[发明专利]膜制造方法及膜制造装置无效
| 申请号： | 201310200298.6 | 申请日： | 2013-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN103572208A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 筑后了治;牧野博之 | 申请（专利权）人： | 住友重机械工业株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/58 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 徐殿军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种膜制造方法及膜制造装置，其将成膜时的温度设为100℃以下，并且制造低电阻的氧化铟膜。本发明的膜制造方法具备：成膜工序，在该工序中通过离子镀法在基板（101）上形成氧化铟膜（M1）；及退火工序，该工序在成膜工序之后，对氧化铟膜（M1）进行退火处理。而且，在成膜工序中，将成膜腔室（123）内的压力设为0.3Pa以下，将成膜腔室（123）内的基板（101）的温度设为100℃以下，在退火工序中，在100℃以下对氧化铟膜进行退火处理。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种膜制造方法，其特征在于，具备：成膜工序，在该工序中通过离子镀法在成膜对象物上形成氧化铟膜；及退火工序，该工序在所述成膜工序之后，对所述氧化铟膜进行退火处理，在所述成膜工序中，将腔室内的压力设为0.3Pa以下，将所述成膜对象物的温度设为100℃以下，在所述退火工序中，在100℃以下对所述氧化铟膜进行退火处理。
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