[发明专利]膜制造方法及膜制造装置

说明书

技术领域

本申请主张基于2012年8月8日申请的日本专利申请第2012-176125号的优先权。其申请的全部内容通过参考援用于本说明书中。

本发明涉及一种在成膜对象物上形成氧化铟膜的膜制造方法及膜制造装置。

背景技术

以往，已知有为了应用于触控面板等，通过离子镀法在基板上成膜低电阻的氧化铟膜的技术。例如，根据专利文献1所示的膜的制造装置，将腔室内设为高于100℃的温度，使成膜材料离子化而扩散，并在基板上成膜氧化铟膜。

专利文献1：日本特开2005-050730号公报

在此，在耐热性较低的树脂基板等上形成低电阻的氧化铟膜的要求越来越高。当在树脂基板等上形成氧化铟膜时，要求在100℃以下的低温下成膜。然而，在以往的离子镀法中，当将腔室内的温度设为100℃以下来进行成膜时，存在难以获得低电阻的氧化铟膜的问题。

发明内容

因此，本发明的目的在于提供一种将成膜时的温度设为100℃以下，并且制造低电阻的氧化铟膜的膜制造方法及膜制造装置。

本发明所涉及的膜制造方法，其特征在于，具备：成膜工序，在该工序中通过离子镀法在成膜对象物上形成氧化铟膜；及退火工序，该工序在成膜工序之后，对氧化铟膜进行退火处理，在成膜工序中，将腔室内的压力设为0.3Pa以下，将成膜对象物的温度设为100℃以下，在退火工序中，在100℃以下对氧化铟膜进行退火处理。

根据本发明所涉及的膜制造方法，将成膜工序的温度设为100℃以下，并且将退火工序的退火温度设为100℃以下，由此（即使在例如使用如树脂基板等那样要求在低温下成膜的材料所涉及的成膜对象物时）也能够与成膜对象物的耐热性无关地制造氧化铟膜。而且，将成膜工序的压力设为0.3Pa以下，并且在成膜工序之后进行退火工序，由此即使成膜工序的温度为100℃以下的低温，也能够制造低电阻的氧化铟膜。如上，能够将成膜时的温度设为100℃以下，并且制造低电阻的氧化铟膜。

而且，在本发明所涉及的膜制造方法中，优选将腔室内的水分分压设为5.8×10^-4Pa以下。而且，可将腔室内的水分分压设为3.9×10^-4Pa以下。由此，能够更可靠地制造低电阻的氧化铟膜。

本发明所涉及的膜制造装置，其特征在于，具备：成膜装置，其通过离子镀法在成膜对象物上形成氧化铟膜；及退火装置，其对通过成膜装置形成于所述成膜对象物上的所述氧化铟膜进行退火处理，成膜装置具有：真空腔室；压力维持构件，其将成膜时的真空腔室内的压力维持在0.3Pa以下；及温度维持构件，其将成膜时的成膜对象物的温度维持在100℃以下，退火装置具有在100℃以下对氧化铟膜进行加热的退火炉。

根据本发明所涉及的膜制造装置，将成膜时的温度设为100℃以下，并且将退火时的退火温度设为100℃以下，由此（即使在例如使用如树脂基板等要求在低温下成膜的材料所涉及的成膜对象物时）也能够与成膜对象物的耐热性无关地制造氧化铟膜。而且，将成膜时的压力设为0.3Pa以下，并且对通过成膜装置形成于所述成膜对象物上的氧化铟膜进行退火处理，由此即便成膜时的温度为100℃以下的低温，也能够制造低电阻的氧化铟膜。如上，能够将成膜时的温度设为100℃以下，并且制造低电阻的氧化铟膜。

而且，在本发明所涉及的膜制造装置中，优选成膜装置具有将成膜时的腔室内的水分分压维持在5.8×10^-4Pa以下的水分分压维持构件。并且，水分分压维持构件可将成膜时的所述腔室内的水分分压维持在3.9×10^-4Pa以下。由此，能够更可靠地制造低电阻的氧化铟膜。

发明效果

根据本发明，能够将成膜时的温度设为100℃以下，并且制造低电阻的氧化铟膜。

附图说明

图1是表示用于本发明的实施方式所涉及的膜制造方法的膜制造装置的概要结构图。

图2是沿图1的II-II线的剖视图。

图3是表示实施例1的结果的曲线图。

图4是表示实施例2的结果的表格。

图中：1-膜制造装置、100-成膜装置、101-基板（成膜对象物）、123-成膜腔室、140-蒸镀装置、150-真空泵（压力维持构件、水分分压维持构件）、160-加热器（温度维持构件）、200-退火装置、201-退火炉、M1-氧化铟膜。

具体实施方式