[发明专利]晶体振荡器驱动放大器电路及相应的晶体振荡器电路在审

专利信息
申请号: 201310191321.X 申请日: 2013-05-21
公开(公告)号: CN104184422A 公开(公告)日: 2014-12-03
发明(设计)人: 曹旺;高庆 申请(专利权)人: 无锡华润矽科微电子有限公司
主分类号: H03F3/20 分类号: H03F3/20;H03B5/04
代理公司: 上海智信专利代理有限公司 31002 代理人: 王洁
地址: 214000 江苏省无锡市*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及一种晶体振荡器驱动放大器电路,其中MOS管(201)的栅极与放大器电路输入端(OSCI)连接,MOS管(201)的漏极与放大器电路输出端(OSCO)连接,MOS管(201)的源极和衬底接地,反馈电阻模块(100)跨接于MOS管(201)的栅极和漏极间,MOS管(201)的漏极通过电流源(260)与电源(VDD)连接。采用该种晶体振荡器驱动放大器电路及相应的晶体振荡器电路结构,工作电压范围宽,延长了电池供电产品的电池使用寿命,采用更低的供电电源电压,降低了电路系统的功耗;电源电压高的时候可以避免振荡器谐振在电路外接谐振器的高次谐振频率上,增强电路系统的可靠性,结构简单实用,适用范围较为广泛。
搜索关键词: 晶体振荡器 驱动 放大器 电路 相应
【主权项】:
一种晶体振荡器驱动放大器电路,其特征在于,所述放大器电路包括MOS管(201)、反馈电阻模块(100)和电流源(260),所述MOS管(201)的栅极与该放大器电路的输入端(OSCI)相连接,该MOS管(201)的漏极与该放大器电路的输出端(OSCO)相连接,该MOS管(201)的源极和衬底均接地,所述反馈电阻模块(100)跨接于所述MOS管(201)的栅极和漏极之间,所述MOS管(201)的漏极通过所述电流源(260)与电源(VDD)相连接。
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