[发明专利]晶体振荡器驱动放大器电路及相应的晶体振荡器电路

权利要求书

1.一种晶体振荡器驱动放大器电路，其特征在于，所述放大器电路包括MOS管（201）、反馈电阻模块（100）和电流源（260），所述MOS管（201）的栅极与该放大器电路的输入端（OSCI）相连接，该MOS管（201）的漏极与该放大器电路的输出端（OSCO）相连接，该MOS管（201）的源极和衬底均接地，所述反馈电阻模块（100）跨接于所述MOS管（201）的栅极和漏极之间，所述MOS管（201）的漏极通过所述电流源（260）与电源（VDD）相连接。

2.根据权利要求1所述的晶体振荡器驱动放大器电路，其特征在于，所述反馈电阻模块（100）包括第一P沟道MOS管（101）和第一N沟道MOS管（102）。

3.根据权利要求2所述的晶体振荡器驱动放大器电路，其特征在于，所述第一P沟道MOS管（101）的栅极接地，该第一P沟道MOS管（101）的源极与所述放大器电路的输入端（OSCI）相连接，且该第一P沟道MOS管（101）的漏极与所述放大器电路的输出端（OSCO）相连接，所述第一P沟道MOS管（101）的衬底与电源（VDD）相连接。

4.根据权利要求2所述的晶体振荡器驱动放大器电路，其特征在于，所述第一N沟道MOS管（102）的栅极与电源（VDD）相连接，该第一N沟道MOS管（102）的源极与所述的放大器电路的输入端（OSCI）相连接，且该第一N沟道MOS管（102）的漏极与所述放大器电路的输出端（OSCO）相连接，所述第一N沟道MOS管（102）的衬底接地。

5.根据权利要求1所述的晶体振荡器驱动放大器电路，其特征在于，所述电流源（260）包括第二P沟道MOS管（261）、第三P沟道MOS管（262）、第四P沟道MOS管（263）、第二N沟道MOS管（264）、第三N沟道MOS管（265）和电阻（266），所述第二P沟道MOS管（261）的源极和衬底均与所述的电源（VDD）相连接，该第二P沟道MOS管（261）的栅极与漏极均与所述的第二N沟道MOS管（264）的漏极相连接，且该第二P沟道MOS管（261）的栅极分别与所述第三P沟道MOS管（262）的栅极、第四P沟道MOS管（263）的栅极均相连接；所述第三P沟道MOS管（262）的源极和衬底均与所述电源（VDD）相连接，该第三P沟道MOS管（262）的漏极分别与所述的第三N沟道MOS管（265）的漏极和栅极均相连接；所述第四P沟道MOS管（263）的源极和衬底均与所述电源（VDD）相连接，该第四P沟道MOS管（263）的漏极与所述MOS管（201）的漏极相连接；所述第二N沟道MOS管（264）的衬底接地，该第二N沟道MOS管（264）的源极通过所述电阻（266）接地，该第二N沟道MOS管（264）的栅极与所述的第三N沟道MOS管（265）的栅极相连接；所述第三N沟道MOS管（265）的源极和衬底均接地。

6.一种具有权利要求1所述放大器电路的晶体振荡器电路，其特征在于，所述电路中还包括选频谐振电路，所述选频谐振电路跨接于所述放大器电路（200）的输入端（OSCI）与输出端（OSCO）之间。

7.根据权利要求6所述的晶体振荡器电路，其特征在于，所述选频谐振电路包括谐振器（300）、第一电容（400）和第二电容（500），所述谐振器（300）跨接于所述的放大器电路（200）的输入端（OSCI）与输出端（OSCO）之间，且该放大器电路（200）的输入端（OSCI）通过所述第一电容（400）接地，该放大器电路（200）的输出端（OSCO）通过所述第二电容（500）接地。

8.根据权利要求7所述的晶体振荡器电路，其特征在于，所述谐振器（300）为晶体谐振器或陶瓷谐振器。