[发明专利]半导体器件及其制造方法、集成电路以及超结半导体器件有效
| 申请号： | 201310190977.X | 申请日： | 2013-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN103426929A | 公开（公告）日： | 2013-12-04 |
| 发明（设计）人： | 罗尔夫·韦斯 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;李静 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法、集成电路以及超结半导体器件，该半导体器件包括第一导电类型的第一区和第二导电类型的本体区，第一导电类型不同于第二导电类型。本体区设置在半导体衬垫的第一表面的一侧上。半导体器件还包括布置在衬底的第一表面中的多个沟槽，这些沟槽在具有垂直于第一表面的分量的第一方向上延伸。第二导电类型的掺杂部邻近沟槽的侧壁的下部。掺杂部通过接触区电耦接至本体区。半导体器件还包括设置在沟槽的上部中的栅电极。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 集成电路 以及 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，所述半导体器件包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括第一导电类型的第一区和第二导电类型的本体区，所述第一导电类型不同于所述第二导电类型，所述本体区设置在所述半导体衬底的第一表面的一侧上；多个沟槽，所述多个沟槽布置在所述衬底的所述第一表面中，所述沟槽在具有垂直于所述第一表面的分量的第一方向上延伸；所述第二导电类型的掺杂部，所述掺杂部邻近所述沟槽的侧壁的下部，所述掺杂部通过接触区电耦接至所述本体区；以及栅电极，所述栅电极设置在所述沟槽的上部中。
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