[发明专利]一种制备HfC-SiC复相陶瓷的方法

摘要

本发明公开了一种制备HfC-SiC复相陶瓷的方法，其包括如下步骤：a)制备HfC-Si₃N₄-C混合粉体；b)制备HfC-Si₃N₄-C生坯；c)先在惰性气氛或真空条件下于800～1400℃保温1～2小时，制得HfC-SiC坯体，再在惰性气氛中于1900～2300℃下继续烧结0.5～1小时，制得HfC-SiC复相陶瓷。本发明所制备的HfC-SiC复相陶瓷的致密度高达100%、平均晶粒尺寸均小于1μm；在惰性气氛下可耐2300℃高温，且相组成稳定；在1500℃的四点弯曲强度可达到350MPa以上；另外，本发明方法还具有原料价廉易得、制备工艺简单、可操控性强、容易实现规模化等优点。

主权项

一种制备HfC‑SiC复相陶瓷的方法，其特征在于，包括如下步骤：a)按摩尔比为(3～22.5):1:3称取HfC、Si₃N₄和炭黑各粉体，湿法球磨使混合均匀，得到HfC‑Si₃N₄‑C混合粉体；b)将步骤a)得到的混合粉体制备成HfC‑Si₃N₄‑C生坯；c)将步骤b)得到的HfC‑Si₃N₄‑C生坯先在惰性气氛或真空条件下于800～1400℃保温1～2小时，得到HfC‑SiC坯体，再在惰性气氛中于1900～2300℃下继续烧结0.5～1小时，即得HfC‑SiC复相陶瓷。