[发明专利]一种制备HfC-SiC复相陶瓷的方法

权利要求书

1.一种制备HfC-SiC复相陶瓷的方法，其特征在于，包括如下步骤：

a)按摩尔比为(3～22.5):1:3称取HfC、Si₃N₄和炭黑各粉体，湿法球磨使混合均匀，得到HfC-Si₃N₄-C混合粉体；

b)将步骤a)得到的混合粉体制备成HfC-Si₃N₄-C生坯；

c)将步骤b)得到的HfC-Si₃N₄-C生坯先在惰性气氛或真空条件下于800～1400℃保温1～2小时，得到HfC-SiC坯体，再在惰性气氛中于1900～2300℃下继续烧结0.5～1小时，即得HfC-SiC复相陶瓷。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述HfC粉体的粒径为0.1～1.5μm，纯度≥99wt%。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述Si₃N₄粉体的粒径为0.1～1.5μm，纯度≥99wt%。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述炭黑粉体的粒径为0.04～0.5μm，纯度≥99wt%。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤a)中的湿法球磨以乙醇或丙酮作为球磨介质，以SiC或Si₃N₄为磨球。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤b)采用先干压成型、再在150～350MPa下进行等静压处理方法制备HfC-Si₃N₄-C生坯。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述的惰性气氛为氩气氛。