[发明专利]平面电子器件及其制造方法无效

专利信息
申请号: 201310180164.2 申请日: 2013-02-28
公开(公告)号: CN103559996A 公开(公告)日: 2014-02-05
发明(设计)人: S·达尔米娅;W·L·哈里森 申请(专利权)人: 泰科电子公司
主分类号: H01F41/00 分类号: H01F41/00;H01F17/00;H01F17/04
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 吴艳
地址: 美国宾夕*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 一种制造用于接收磁芯的平板衬底(220)的方法,该方法包括步骤:提供具有层侧面(262)的盖层(222);提供具有第一和第二侧面(252、254)的基层(224),所述基层包括在所述第一和第二侧面之间完全延伸过所述基层的材料孔(250);沿所述第一侧面和所述层侧面将所述盖层和基层彼此耦合,所述盖层在材料孔的至少一部分之上延伸;以及在所述材料孔内提供电介质构件(226),其中所述芯保持通道(272)存在于所述电介质构件和所述基层之间,所述芯保持通道围绕所述电介质构件周向延伸且构造成在其中具有磁芯(288、488、588)。
搜索关键词: 平面 电子器件 及其 制造 方法
【主权项】:
一种制造用于接收磁芯的平板衬底(220,320,420,520)的方法,该方法包括步骤:提供具有层侧面(262,346)的盖层(222,322,422,522);提供具有第一侧面(252,340A,340B,440,540)和第二侧面(254,342A,342B,442,542)的基层(224,324A,324B,424,524),所述基层包括在所述第一侧面和第二侧面之间完全延伸过所述基层的材料孔(250,348,350,450,550);沿所述第一侧面和所述层侧面将所述盖层和所述基层彼此耦合,所述盖层在所述材料孔的至少一部分之上延伸;以及在所述材料孔中提供电介质构件(226,373,491,591),其中所述芯保持通道(272,372)存在于所述电介质构件和所述基层之间,所述芯保持通道围绕所述电介质构件周向延伸且构造成在其中具有磁芯(288,488,588)。
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