[发明专利]平面电子器件及其制造方法无效

专利信息
申请号: 201310180164.2 申请日: 2013-02-28
公开(公告)号: CN103559996A 公开(公告)日: 2014-02-05
发明(设计)人: S·达尔米娅;W·L·哈里森 申请(专利权)人: 泰科电子公司
主分类号: H01F41/00 分类号: H01F41/00;H01F17/00;H01F17/04
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 吴艳
地址: 美国宾夕*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 平面 电子器件 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种制造用于接收磁芯的平板衬底(220,320,420,520)的方法,该方法包括步骤:

提供具有层侧面(262,346)的盖层(222,322,422,522);

提供具有第一侧面(252,340A,340B,440,540)和第二侧面(254,342A,342B,442,542)的基层(224,324A,324B,424,524),所述基层包括在所述第一侧面和第二侧面之间完全延伸过所述基层的材料孔(250,348,350,450,550);

沿所述第一侧面和所述层侧面将所述盖层和所述基层彼此耦合,所述盖层在所述材料孔的至少一部分之上延伸;以及

在所述材料孔中提供电介质构件(226,373,491,591),其中所述芯保持通道(272,372)存在于所述电介质构件和所述基层之间,所述芯保持通道围绕所述电介质构件周向延伸且构造成在其中具有磁芯(288,488,588)。

2.根据权利要求1所述的方法,进一步包括穿过所述第二侧面(254,342A,342B,442,542)将所述磁芯(288,488,588)装入所述材料孔(250,348,350,450,550)中,所述磁芯围绕所述电介质构件(226,373,491,591)延伸。

3.根据权利要求2所述的方法,进一步包括将所述磁芯(288,488,588)嵌入到沉积在所述材料孔(250,348,350,450,550)中的所述封装材料中,以及围绕所述磁芯(288,488,588)形成一个或多个导电线圈(206,208),所述导电线圈延伸过所述电介质构件(226,373,491,591)和所述基层(224,324A,324B,424,524)。

4.根据权利要求1所述的方法,其中所述材料孔(250,348,350,450,550)通过冲压所述基层(224,324A,324B,424,524)形成。

5.根据权利要求1所述的方法,进一步包括在所述基层(224,324A,324B,424,524)中同时冲压多个所述材料孔(250,348,350,450,550)。

6.根据权利要求1所述的方法,其中所述基层(224,324A,324B,424,524)包括多个所述材料孔(250,348,350,450,550),所述盖层(222,322,422,522)在所述材料孔的至少一部分之上延伸。

7.根据权利要求1所述的方法,其中所述芯保持通道(272,372)由所述基层(224,324A,324B,424,524)的向内表面(276)和所述电介质构件(226,373,491,591)的面向所述向内表面的向外表面(277)限定,所述向内表面的至少一部分和/或所述向外表面的至少一部分被剪切。

8.根据权利要求1所述的方法,其中所述芯保持通道(272,372)由所述基层(224,324A,324B,424,524)的向内表面(276)和所述电介质构件(226,373,491,591)的面向所述向内表面的向外表面(277)限定,所述芯保持通道由构造成接合所述芯保持通道中的磁芯(288,488,588)的一个或多个对准特征(282,284,523)部分地限定。

9.根据权利要求1所述的方法,其中所述芯保持通道(272,372)由所述基层(224,324A,324B,424,524)的向内表面(276)和所述电介质构件(226,373,491,591)的面向所述向内表面的向外表面(277)限定,所述方法进一步包括将所述向内表面和所述向外表面的至少一个的至少一部分钻孔。

10.根据权利要求9所述的方法,其中所述钻孔包括提供被构造成接合所述磁芯(288,488,588)的倾斜的对准特征(282,284,523)。

11.根据权利要求1所述的方法,进一步包括将所述基层(224)装入到模制结构(234)上,该模制结构包括接合表面(238)和从该接合表面凸出的平台(240),该平台围绕构件腔(244),其中所述平台的尺寸和形状适于被所述基层的材料孔(250)接收且所述构件腔的尺寸和形状适于接收所述电介质构件(226)。

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