[发明专利]平面电子器件及其制造方法无效

专利信息
申请号: 201310180164.2 申请日: 2013-02-28
公开(公告)号: CN103559996A 公开(公告)日: 2014-02-05
发明(设计)人: S·达尔米娅;W·L·哈里森 申请(专利权)人: 泰科电子公司
主分类号: H01F41/00 分类号: H01F41/00;H01F17/00;H01F17/04
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 吴艳
地址: 美国宾夕*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 平面 电子器件 及其 制造 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及电子器件,例如变压器、感应器、平衡-不平衡变压器(baluns)、耦合器、或滤波器。

背景技术

一些公知的电子器件包括平面主体,例如电路板,其在平面主体中中建立的一个或多个磁性部件。磁性部件可包括铁氧体磁芯,该铁氧体磁芯具有围绕其延伸的导电绕组。这些磁性部件中的一些包括彼此不电耦合(couple)的两个导电绕组。例如,导电绕组不物理或机械耦合,使得电流不会经由一个导电绕组直接流向另一个导电绕组。流经一个导电绕组的电流在芯和另一导电绕组中产生磁场,且另一绕组中的磁场产生一电流。器件的电性能由各种参数来决定,例如第一绕组的匝数与第二绕组的匝数的比例、第一和/或第二绕组的形状、第一和第二绕组的阻抗等等。

一些公知平面电子器件的制造工艺包括钻孔或选路(routing)于平板衬底。更具体地,平板衬底可包括多个衬底层(例如FR-4和其他PCB型材料)。部分的衬底层可以通过受控深度选路来移除。在受控深度选路中,钻头沿预定路径移动以移除衬底材料且在平板衬底内提供凹陷或腔。凹陷不会完全延伸穿过平板衬底。在形成凹陷后,磁芯(例如铁氧体磁芯)可以装载到凹陷中。虽然受控深度选路能够在平面电子器件的制造期间提供足够的凹陷,但是在一些情况下受控深度选路可显著增加平面电子器件的成本。

需要减少平板衬底的制造成本。

发明内容

根据本发明,用于接收磁芯的平板衬底的制造方法包括如下步骤:提供具有层侧面的盖层;提供具有第一和第二侧面的基层,基层包括完全延伸穿过第一和第二侧面之间的基层的材料孔;使盖层和基层沿第一侧面和层侧面彼此耦合,盖层在材料孔的至少一部分之上延伸;以及在材料孔中提供电介质构件,其中在电介质构件和基层之间存在有芯保持通道,芯保持通道围绕电介质构件周向延伸且构造成在其中具有磁芯。

附图说明

图1是具有磁性部件阵列的平面电子器件的一个实施例的透视图;

图2是图1所示的电子器件的磁性部件的顶视图;

图3是根据一个实施例的板制造组件和平板衬底的分解图;

图4是在层叠工艺期间图3的制造组件和板衬底的截面图;

图5是示出芯保持通道的图3的板衬底的放大截面图;

图6是示出芯保持通道的图3的板衬底的放大平面图;

图7是示出其中具有磁芯的芯保持通道的板衬底的放大截面图;

图8是根据一个实施例的板制造组件和平板衬底的分解图;

图9示出了图8的板衬底的顶部平面图;

图10是衬底移除工艺之前、图8的板衬底的放大截面图;

图11是衬底移除工艺之后、图8的板衬底的放大截面图;

图12是根据一个实施例形成的平板衬底的分解图;

图13是根据一个实施例形成的包括图12的板衬底的平面电子器件的截面图;

图14是根据一个实施例形成的平板衬底的分解图;

图15是根据一个实施例形成的包括图14的板衬底的平面电子器件的截面图;

图16是示出制造根据各实施例的平板衬底的方法的流程图;

图17是在平板衬底的制造期间可以使用的空心钻头的透视图;

图18示出了使用空心钻头的不同制造阶段的平板衬底;

图19是在平板衬底的制造期间可以使用的Forstner钻头的透视图;

图20示出了在使用Forstner钻头的不同制造阶段的平板衬底。

具体实施方式

在此描述的一个或多个实施例提供了一种平面电子器件,其包括保持如为平面变压器的磁性部件的平板衬底。磁性部件可以包括嵌入在相应板衬底中的磁芯(例如铁氧体材料主体)。磁性部件可以包括缠绕磁芯的导电绕组或线圈(loop)。板衬底可以具有类似于印刷电路板(PCB)的构成物(composition)且包括多个衬底层。衬底层可包括基层(或第一层)和盖层(或第二层)。衬底层可以具有穿过其延伸的一个或多个材料孔,其尺寸和形状设置成接收各自的磁芯。盖层沿基层的一侧延伸且完全覆盖材料孔或仅仅部分覆盖材料孔。在特定实施例中,材料孔完全延伸穿过基层。

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