[发明专利]可挠透光基板的制造方法在审
| 申请号： | 201310177174.0 | 申请日： | 2013-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN104157548A | 公开（公告）日： | 2014-11-19 |
| 发明（设计）人： | 李鸿昇;黄建智;简谷卫;黄有为;吴清沂 | 申请（专利权）人： | 北儒精密股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L51/56 |
| 代理公司： | 北京泰吉知识产权代理有限公司 11355 | 代理人： | 张雅军 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种可挠透光基板的制造方法，包含：(A)将一个透光基材放入一个反应室内；(B)通过辉光放电方式电离通入该反应室内的改质气体，使该透光基材的一个初始面粗糙化而形成一个设置面；(C)通过辉光放电方式，在该设置面上形成一个缓冲膜；及(D)通过辉光放电方式，在该缓冲膜上形成一个类钻碳膜。在步骤(B)中，使该设置面具有粗糙化结构而可增进该可挠透光基板的层体之间的结合性，且通过该类钻碳膜的疏水效果使得该可挠透光基板的表面容易清洁。此外，该类钻碳膜还具有优异的抗刮性而不易磨损擦伤，从而使该可挠透光基板具有良好的透光品质。 | ||
| 搜索关键词： | 透光 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种可挠透光基板的制造方法，其特征在于：该可挠透光基板的制造方法包含(A)将一个可挠的透光基材放入一个表面处理装置的一个反应室内，并位于该表面处理装置的两片电极板之间；(B)将改质气体通入该反应室内，通过辉光放电方式电离所述改质气体以产生改质电浆粒子来轰击该透光基材的一个初始面，进而使该透光基材的初始面形成一个具有凹凸不平的粗糙化结构的设置面，所述改质气体为氢气、氧气、氨气或上述的任一组合；(C)通过辉光放电方式，在该透光基材的设置面上形成一个缓冲膜，且该缓冲膜的材料为氮化硅或硅碳氮化合物；及(D)通过辉光放电方式，在该缓冲膜上形成一个类钻碳膜，且该类钻碳膜的材料为碳氢化合物并具有疏水性。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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