[发明专利]可挠透光基板的制造方法在审
申请号: | 201310177174.0 | 申请日: | 2013-05-14 |
公开(公告)号: | CN104157548A | 公开(公告)日: | 2014-11-19 |
发明(设计)人: | 李鸿昇;黄建智;简谷卫;黄有为;吴清沂 | 申请(专利权)人: | 北儒精密股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L51/56 |
代理公司: | 北京泰吉知识产权代理有限公司 11355 | 代理人: | 张雅军 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 透光 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种基板的制造方法,特别是指一种适合配合一个背板、一个发光单元、一个触控感应单元等构件进行封装,进而构成一个触控式显示器模组的可挠透光基板的制造方法。
背景技术
一般触控式显示器模组通常包含一个透光基板、一个与该透光基板间隔的背板,以及设置于该透光基板与该背板之间的一个发光单元、一个触控感应单元或一个液晶单元等。其中,该透光基板能将该发光单元投射而来的光线向外导出,然而由于该透光基板的材料通常为玻璃,因此韧性不佳而容易因碰撞而破裂、损坏。
另一方面,随着科技的进步,以有机发光二极体(Organic Light-EmittingDiode,简称OLED)做为发光单元的可触控式显示器模组是目前科技研发的重点,这是因为OLED具有高亮度、高对比、广视角与厚度薄等优点,相当符合显示器模组的轻薄化要求。此外,OLED还可配合可挠的透光基板与背板进行封装,进而制成可收折的可触控式显示器模组,并具有方便携带等人性化的优点。
所述可挠的透光基板的材料可以是聚对苯二甲酸乙二酯(PET),其可弯挠的性质可克服以往使用玻璃透光基板容易因碰撞而损坏的问题,然而所述可挠性的透光基板的硬度较低,其表面容易产生刮痕也容易累积污垢,进而影响该发光单元投射光线的透光效果,使得所述触控式显示器模组的影像品质不佳。
为了改善上述问题,有业者会在所述基板的表面镀上一层无机物膜层以增加抗污与抗刮性,但由于前述镀覆无机物膜层的制程往往需要在大于150℃的高温下才能进行,不仅会使所述可挠的透光基板老化、坏损,制造时也需要耗费相当多的电能来提升温度,进而增加生产成本。
发明内容
本发明的目的在于提供一种层体之间的结合性优异且兼具优异的抗污效果与抗刮效果的可挠透光基板的制造方法。
本发明可挠透光基板的制造方法,包含(A)将一个可挠的透光基材放入一个表面处理装置的一个反应室内,并位于该表面处理装置的两片电极板之间;(B)将改质气体通入该反应室内,通过辉光放电方式电离所述改质气体以产生改质电浆粒子来轰击该透光基材的一个初始面,进而使该透光基材的初始面形成一个具有凹凸不平的粗糙化结构的设置面,所述改质气体为氢气、氧气、氨气或上述的任一组合;(C)通过辉光放电方式,在该透光基材的设置面上形成一个缓冲膜,且该缓冲膜的材料为氮化硅或硅碳氮化合物;及(D)通过辉光放电方式,在该缓冲膜上形成一个类钻碳膜,且该类钻碳膜的材料为碳氢化合物并具有疏水性。
本发明所述可挠透光基板的制造方法,在步骤(B)中,通过辉光放电方式电离所述改质气体来轰击该初始面的改质过程的改质时间为5~100秒。
本发明所述可挠透光基板的制造方法,在步骤(B)至步骤(D)中,该反应室内的温度为20~100℃。
本发明所述可挠透光基板的制造方法,在步骤(C)中,先将该反应室抽真空后,再将硅源气体与氮源气体分别通入该反应室内反应而制得材料为氮化硅的该缓冲膜,所述硅源气体与所述氮源气体的体积比例为D:E,D为1且E为0.1~20。
本发明所述可挠透光基板的制造方法,在步骤(C)中,先将该反应室抽真空后,再将硅源气体、碳源气体与氮源气体分别通入该反应室内反应,而制得材料为硅碳氮化合物的该缓冲膜,所述硅源气体、所述碳源气体与所述氮源气体的体积比例为A:B:C,A为1,B为0.1~10,C为0.1~20。
本发明所述可挠透光基板的制造方法,在步骤(D)中,先将该反应室抽真空后,再将碳源气体与保护气体分别通入该反应室内反应,而制得材料为碳氢化合物的该类钻碳膜,所述碳源气体与所述保护气体的体积比例为F:G,F为1且G为0.1~1000。
本发明的有益效果在于:通过辉光放电方式电离改质气体以产生改质电浆粒子来轰击该初始面,从而形成粗糙化的该设置面以提供后续镀膜所需的成长点,因而增进该可挠透光基板的层体之间的结合性,同时通过该类钻碳膜优异的阻水效果而使该可挠透光基板的表面容易清洁而增进抗污效果。此外,该类钻碳膜也具有优异的抗刮性,因而不易因碰撞而产生磨损或伤痕,从而使该可挠透光基板具有良好的透光品质。
附图说明
图1是一个局部侧视示意图,显示本发明制造方法的一个较佳实施例所制成的一个可挠透光基板;
图2是一个侧视剖视示意图,显示该制造方法所使用的一个表面处理装置;
图3是该制造方法的一个步骤流程方块图;
图4是该制造方法的一个步骤流程示意图。
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造