[发明专利]可挠透光基板的制造方法

权利要求书

1.一种可挠透光基板的制造方法，其特征在于：该可挠透光基板的制造方法包含(A)将一个可挠的透光基材放入一个表面处理装置的一个反应室内，并位于该表面处理装置的两片电极板之间；(B)将改质气体通入该反应室内，通过辉光放电方式电离所述改质气体以产生改质电浆粒子来轰击该透光基材的一个初始面，进而使该透光基材的初始面形成一个具有凹凸不平的粗糙化结构的设置面，所述改质气体为氢气、氧气、氨气或上述的任一组合；(C)通过辉光放电方式，在该透光基材的设置面上形成一个缓冲膜，且该缓冲膜的材料为氮化硅或硅碳氮化合物；及(D)通过辉光放电方式，在该缓冲膜上形成一个类钻碳膜，且该类钻碳膜的材料为碳氢化合物并具有疏水性。

2.根据权利要求1所述的可挠透光基板的制造方法，其特征在于：在步骤(B)中，通过辉光放电方式电离所述改质气体来轰击该初始面的改质过程的改质时间为5～100秒。

3.根据权利要求1或2所述的可挠透光基板的制造方法，其特征在于：在步骤(B)至步骤(D)中，该反应室内的温度为20～100℃。

4.根据权利要求3所述的可挠透光基板的制造方法，其特征在于：在步骤(C)中，先将该反应室抽真空后，再将硅源气体与氮源气体分别通入该反应室内反应而制得材料为氮化硅的该缓冲膜，所述硅源气体与所述氮源气体的体积比例为D：E，D为1且E为0.1～20。

5.根据权利要求3所述的可挠透光基板的制造方法，其特征在于：在步骤(C)中，先将该反应室抽真空后，再将硅源气体、碳源气体与氮源气体分别通入该反应室内反应而制得材料为硅碳氮化合物的该缓冲膜，所述硅源气体、所述碳源气体与所述氮源气体的体积比例为A：B：C，A为1，B为0.1～10，C为0.1～20。

6.根据权利要求3所述的可挠透光基板的制造方法，其特征在于：在步骤(D)中，先将该反应室抽真空后，再将碳源气体与保护气体分别通入该反应室内反应，而制得材料为碳氢化合物的该类钻碳膜，所述碳源气体与所述保护气体的体积比例为F：G，F为1且G为0.1～1000。

7.根据权利要求1所述的可挠透光基板的制造方法，其特征在于：在步骤(C)中，先将该反应室抽真空后，再将硅源气体与氮源气体分别通入该反应室内反应而制得材料为氮化硅的该缓冲膜，所述硅源气体与所述氮源气体的体积比例为D：E，D为1且E为0.1～20。

8.根据权利要求1所述的可挠透光基板的制造方法，其特征在于：在步骤(C)中，先将该反应室抽真空后，再将硅源气体、碳源气体与氮源气体分别通入该反应室内反应而制得材料为硅碳氮化合物的该缓冲膜，所述硅源气体、所述碳源气体与所述氮源气体的体积比例为A：B：C，A为1，B为0.1～10，C为0.1～20。

9.根据权利要求1所述的可挠透光基板的制造方法，其特征在于：在步骤(D)中，先将该反应室抽真空后，再将碳源气体与保护气体分别通入该反应室内反应，而制得材料为碳氢化合物的该类钻碳膜，所述碳源气体与所述保护气体的体积比例为F：G，F为1且G为0.1～1000。