[发明专利]图案化的方法及存储器元件的形成方法有效

专利信息
申请号: 201310176237.0 申请日: 2013-05-14
公开(公告)号: CN104022021A 公开(公告)日: 2014-09-03
发明(设计)人: 蔡仁祥 申请(专利权)人: 华邦电子股份有限公司
主分类号: H01L21/027 分类号: H01L21/027;H01L21/77
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 曹玲柱
地址: 中国台湾台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种存储器元件的形成方法。提供基底,基底具有至少二单元区与至少一周边区,周边区位于单元区之间。在基底上依序形成目标层、牺牲层及第一掩模层,其中第一掩模层具有位于单元区中的多个第一掩模图案及位于周边区中的多个第二掩模图案。以第一掩模层为掩模,移除部分牺牲层,以形成多个牺牲图案。在各牺牲图案的各侧壁上形成间隙壁。移除牺牲图案。至少移除周边区中的间隙壁。在单元区上形成第二掩模层。以第二掩模层与剩余的间隙壁为掩模,移除部分目标层,以在单元区上形成多个字线,且在邻近周边区的部分单元区上形成多个选择栅极。
搜索关键词: 图案 方法 存储器 元件 形成
【主权项】:
一种图案化的方法,其特征在于,包括:提供一基底,上述基底具有第一区域与第二区域;在上述基底上依序形成目标层、牺牲层及第一掩模层,其中上述第一掩模层具有位于上述第一区域中的多个第一掩模图案以及位于上述第二区域中的多个第二掩模图案;以上述第一掩模层为掩模,移除部分上述牺牲层,以形成多个牺牲图案;移除上述第一掩模层;在各牺牲图案的各侧壁上形成间隙壁;移除上述牺牲图案;至少移除上述第二区域中的上述间隙壁;在上述基底上形成第二掩模层,覆盖邻近上述第二区域的部分上述第一区域;以上述第二掩模层与剩余的上述间隙壁为掩模,移除部分上述目标层,以在上述第一区域上形成多个第一目标图案,且在邻近于上述第二区域的部分上述第一区域上形成第二目标图案;以及移除上述第二掩模层与剩余的上述间隙壁。
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