[发明专利]图案化的方法及存储器元件的形成方法有效
| 申请号: | 201310176237.0 | 申请日: | 2013-05-14 |
| 公开(公告)号: | CN104022021A | 公开(公告)日: | 2014-09-03 |
| 发明(设计)人: | 蔡仁祥 | 申请(专利权)人: | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;H01L21/77 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 曹玲柱 |
| 地址: | 中国台湾台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 图案 方法 存储器 元件 形成 | ||
1.一种图案化的方法,其特征在于,包括:
提供一基底,上述基底具有第一区域与第二区域;
在上述基底上依序形成目标层、牺牲层及第一掩模层,其中上述第一掩模层具有位于上述第一区域中的多个第一掩模图案以及位于上述第二区域中的多个第二掩模图案;
以上述第一掩模层为掩模,移除部分上述牺牲层,以形成多个牺牲图案;
移除上述第一掩模层;
在各牺牲图案的各侧壁上形成间隙壁;
移除上述牺牲图案;
至少移除上述第二区域中的上述间隙壁;
在上述基底上形成第二掩模层,覆盖邻近上述第二区域的部分上述第一区域;
以上述第二掩模层与剩余的上述间隙壁为掩模,移除部分上述目标层,以在上述第一区域上形成多个第一目标图案,且在邻近于上述第二区域的部分上述第一区域上形成第二目标图案;以及
移除上述第二掩模层与剩余的上述间隙壁。
2.根据权利要求1所述的图案化的方法,其中上述第二目标图案的一侧边由剩余的上述间隙壁中的一个定义,另一侧边由上述第二掩模层定义。
3.根据权利要求1所述的图案化的方法,其中上述第一区为单元区,而上述第二区为周边区。
4.根据权利要求1所述的图案化的方法,其中:上述基底还具有第三区域,其中上述第二区域位于上述第一区域与上述第三区域之间;
上述第一掩模层还具有位于上述第三区域中的多个第三掩模图案;
上述第二掩模层还覆盖邻近上述第二区域的部分上述第三区域;以及
以上述第二掩模层与剩余的上述间隙壁为掩模,移除部分上述目标层,还包括在上述第三区域上形成多个第三目标图案,且上述第二目标图案还形成在邻近于上述第二区域的部分上述第三区域上。
5.根据权利要求4所述的图案化的方法,其中上述第一区与上述第三区为单元区,上述第二区为周边区。
6.根据权利要求4所述的图案化的方法,其中上述第二目标图案的一侧边分别由剩余的上述间隙壁中的一个定义,另一侧边分别是由上述第二掩模层定义。
7.根据权利要求4所述的图案化的方法,其中上述第一掩模图案及上述第三掩模图案具有相同线宽与相同间距。
8.根据权利要求4所述的图案化的方法,其中上述第一掩模图案及上述第三掩模图案具有不同线宽或不同间距。
9.根据权利要求4所述的图案化的方法,其中邻近上述第一区域的部分上述第二掩模图案与上述第一区域的上述第一掩模图案具有相同线宽与相同间距。
10.根据权利要求4所述的图案化的方法,其中邻近上述第三区域的部分上述第二掩模图案与上述第三区域的上述第三掩模图案具有相同线宽与相同间距。
11.根据权利要求4所述的图案化的方法,其中至少移除上述第二区域中的上述间隙壁的方法包括:
在上述基底上形成第三掩模层,覆盖部分上述第一区域与部分上述第三区域,以至少裸露出上述第二区域;
以上述第三掩模层为掩模,移除上述第二区域中的上述间隙壁,并同时移除上述第一区域与上述第三区域中的部分上述间隙壁,以切断对应于上述牺牲图案末端的上述间隙壁的回路;以及
移除上述第三掩模层。
12.根据权利要求1所述的图案化的方法,其中:
上述基底还具有第四区域,上述第一区域位于上述第二区域与上述第四区域之间;
上述第一掩模层还具有位于上述第四区域中的多个第三掩模图案;
上述第二掩模层还覆盖邻近上述第四区域的部分上述第一区域;以及
以上述第二掩模层与剩余的上述间隙壁为掩模,移除部分上述目标层还包括在邻近于上述第四区域的部分上述第一区域上形成上述第二目标图案。
13.根据权利要求12所述的图案化的方法,其中上述第一区为单元区,上述第二区与上述第四区为周边区。
14.根据权利要求12所述的图案化的方法,其中上述第二目标图案的一侧边由剩余的上述间隙壁中的一个定义,另一侧边由上述第二掩模层定义。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





