[发明专利]带有图形化绝缘埋层的衬底的制作方法有效
| 申请号： | 201310175298.5 | 申请日： | 2013-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN103247568A | 公开（公告）日： | 2013-08-14 |
| 发明（设计）人： | 叶斐;张峰 | 申请（专利权）人： | 上海新傲科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人： | 孙佳胤;翟羽 |
| 地址： | 201821 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种带有图形化绝缘埋层的衬底的制作方法，包括如下步骤：提供支撑衬底和器件衬底；在支撑衬底用于键合的表面内形成凹槽；采用绝缘材料填充凹槽，从而形成图形化绝缘埋层；将器件衬底和支撑衬底键合在一起；减薄器件衬底至预定厚度。本发明的优点在于，图形化的绝缘埋层是采用沉积或者热氧化工艺形成的，故绝缘性能良好，而且器件衬底并未受到注入影响，缺陷密度低，尤其是在与图形边界的对应处不会形成缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 带有 图形 绝缘 衬底 制作方法 | ||
【主权项】：
一种带有图形化绝缘埋层的衬底的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：提供支撑衬底和器件衬底；在支撑衬底用于键合的表面内形成凹槽；采用绝缘材料填充凹槽，从而形成图形化绝缘埋层；将器件衬底和支撑衬底键合在一起；减薄器件衬底至预定厚度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
