[发明专利]一种冷速控制高温超导块体材料的生长方法有效
| 申请号： | 201310172563.4 | 申请日： | 2013-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN103243383A | 公开（公告）日： | 2013-08-14 |
| 发明（设计）人： | 姚忻;庄宇峰;彭波南 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | C30B28/04 | 分类号： | C30B28/04;C30B29/22;H01B13/00 |
| 代理公司： | 上海旭诚知识产权代理有限公司 31220 | 代理人： | 丁惠敏;郑立 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种冷速控制高温超导块体材料的生长方法，包括如下工序：a）制备LRE123相和LRE211相的粉末；b）制备前驱体；c）将籽晶放置在所述前驱体的上表面；d）将所述前驱体和籽晶置于生长炉中，升温至最高温度，并保温；e）快速将温度降低至包晶反应温度，然后以每小时0.5℃～1.0℃的速率降温20-40小时，最后淬火制得超导块体材料。本发明通过控制在超导体块材在生长过程中的降温速度，调整生长过程熔体中的组分，有效抑制包晶反应过程中出现的轻稀土元素和钡元素的替代情况，提高空气下制备的LREBCO超导体的超导性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 控制 高温 超导 块体 材料 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种冷速控制高温超导块体材料的生长方法，包括如下工序：a）制备LRE123相和LRE211相的粉末；b）制备前驱体；c）将籽晶放置在所述前驱体的上表面；d）将所述前驱体和籽晶置于生长炉中进行熔融织构生长高温超导块体；其特征在于，所述工序d）中的熔融织构生长包括以下步骤：e）使所述生长炉内的温度升至最高温度，并保温；f）以第一降温速度将所述生长炉内的温度降低至所述高温超导块体的包晶反应温度，然后以每小时0.5℃～1.0℃的速率降温20‑40小时，最后淬火。
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