[发明专利]一种冷速控制高温超导块体材料的生长方法

权利要求书

1.一种冷速控制高温超导块体材料的生长方法，包括如下工序：

a）制备LRE123相和LRE211相的粉末；

b）制备前驱体；

c）将籽晶放置在所述前驱体的上表面；

d）将所述前驱体和籽晶置于生长炉中进行熔融织构生长高温超导块体；

其特征在于，所述工序d）中的熔融织构生长包括以下步骤：

e）使所述生长炉内的温度升至最高温度，并保温；

f）以第一降温速度将所述生长炉内的温度降低至所述高温超导块体的包晶反应温度，然后以每小时0.5℃～1.0℃的速率降温20-40小时，最后淬火。

2.根据权利要求1所述的冷速控制高温超导块体材料的生长方法，其特征在于，所述工序a）包括：

按照LRE:Ba:Cu=1:2:3的比例将LRE₂O₃、BaCO₃和CuO粉末混合，得到LRE123相的前驱粉末；按照LRE:Ba:Cu=2:1:1的比例将LRE₂O₃、BaCO₃和CuO粉末混合，得到LRE211相的前驱粉末；

分别将所述LRE123相和LRE211相的前驱粉末研磨后，在空气中900℃烧结48小时并重复3次此研磨、烧结过程。

3.根据权利要求1所述的冷速控制高温超导块体材料的生长方法，其特征在于，所述工序b）为：将所述工序a）获得的LRE123粉末和LRE211粉末按LRE123+（10～30）mol%LRE211+（0.3～1.5）wt%CeO₂的比例混合均匀，压制成圆柱形的前驱体。

4.根据权利要求1所述的冷速控制高温超导块体材料的生长方法，其特征在于，所述工序e）为：使所述生长炉内的温度在第一时间内升至第一温度；保温2～5小时；使所述生长炉内的温度在第二时间内升至第二温度，保温1～2小时；

所述第一时间为3～8小时；所述第一温度低于所述包晶反应温度20-100℃；所述第二时间为1～2小时；所述第二温度高于所述包晶反应温度30-80℃。

5.根据权利要求1所述的冷速控制高温超导块体材料的生长方法，其特征在于，所述工序f）中的第一降温速度为：在25分钟内将所述生长炉内的温度降低至所述包晶反应温度。

6.根据权利要求1所述的冷速控制高温超导块体材料的生长方法，其特征在于，所述工序f）中的淬火为：将所述高温超导块体随炉冷却。

7.根据权利要求1所述的冷速控制高温超导块体材料的生长方法，其特征在于，所述籽晶是c轴取向的REBCO/MgO正方形薄膜。

8.根据权利要求1所述的冷速控制高温超导块体材料的生长方法，其特征在于，所述的LRE为Sm或Nd。