[发明专利]辐射源和光刻设备有效
| 申请号： | 201310166910.2 | 申请日： | 2009-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN103257532A | 公开（公告）日： | 2013-08-21 |
| 发明（设计）人： | A·亚库宁;V·班尼恩;V·伊万诺夫;E·鲁普斯特拉;V·克里夫特苏恩;G·斯温克尔斯;D·兰贝特斯基 | 申请（专利权）人： | ASML荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;H05G2/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 张启程 |
| 地址： | 荷兰维*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本发明涉及一种辐射源及光刻设备。所述辐射源配置成生成极紫外辐射。所述辐射源包括等离子体形成部位，所述等离子体形成部位位于燃料将通过与辐射束接触而形成等离子体所在的位置；出口，所述出口配置成允许气体出离辐射源；和污染物阱，所述污染物阱至少部分地设置在辐射源的壁上。所述污染物阱配置成俘获由生成等离子体所产生的碎片粒子。 | ||
| 搜索关键词： | 辐射源 光刻 设备 | ||
【主权项】：
一种辐射源，所述辐射源配置成生成极紫外辐射，所述辐射源包括：等离子体形成部位，所述等离子体形成部位位于燃料将通过与辐射束接触而形成等离子体所在的位置；出口，所述出口配置成允许气体出离辐射源；和污染物阱，所述污染物阱设置在所述源的壁上，所述污染物阱配置成减少从所述源的所述壁散射或溅射到所述源的收集器上的碎片粒子的量。
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