[发明专利]辐射源和光刻设备

说明书

本申请是ASML荷兰有限公司于2009年7月21日递交的、申请号为200980134710.0、发明名称为“辐射源和光刻设备”的申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及一种用于生成极紫外辐射的辐射源以及一种光刻设备。

背景技术

光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上，通常是衬底的目标部分上的机器。例如，可以将光刻设备用在集成电路(IC)的制造中。在所述情形中，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成在所述IC的单层上待形成的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯)上。通常，图案的转移是通过把图案成像到提供到衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上进行的。通常，单独的衬底将包含被连续形成图案的相邻目标部分的网络。公知的光刻设备包括：步进机，在所述步进机中，通过将整个图案一次曝光到所述目标部分上来辐射每一个目标部分；以及扫描器，在所述扫描器中，通过辐射束沿给定方向(“扫描”方向)扫描所述图案、同时沿与该方向平行或反向平行的方向同步扫描所述衬底来辐射每一个目标部分。

通过用于分辨率的瑞利准则来给出图案印刷的极限的理论估计：

CD=k1*λNAPS---(1)]]>

其中，λ是所使用的辐射的波长，NA_PS是用于印制图案的投影系统的数值孔径，k₁是依赖于过程的调整因子，也称为瑞利常数，以及CD是被印刷的特征的特征尺寸(或临界尺寸)。从瑞利准则可以得出，可以以三种方式实现减小特征的最小可印刷尺寸：通过缩短曝光波长λ、通过增加数值孔径NA_PS或通过减小k₁的值。

为了缩短曝光波长，并因此使临界尺寸减小，已经提出使用极紫外(EUV)辐射源。EUV辐射源被配置以输出约13nm的辐射波长。因此，EUV辐射源可以构成朝向获得小的特征印刷的非常重要的一步。可能的EUV辐射源例如包括激光产生等离子体源、放电等离子体源或来自电子储存环的同步加速器辐射。当使用等离子体源时，污染物粒子作为等离子体生成的副产品而形成。通常，这些污染物粒子是不期望的，因为它们附着于例如光刻设备的反射表面。污染物粒子在光刻设备的反射表面上的积聚降低这些表面的反射率，并因此可能降低光刻设备可能获得的生产率。

期望降低污染物粒子在光刻设备的反射表面上的积聚。

发明内容

根据本发明的第一方面，提供一种辐射源，所述辐射源配置成生成极紫外辐射，所述辐射源包括：等离子体形成部位，在所述等离子体形成部位处，燃料将通过与辐射束接触而形成等离子体；出口，所述出口配置成允许气体出离辐射源；和污染物阱，所述污染物阱设置在所述源的壁上，所述污染物阱配置成降低碎片粒子从所述源的所述壁散射或溅射到所述源的收集器上的可能性。

所述污染物阱可以设置在由所述收集器形成的EUV辐射锥的外边界的外部。

所述污染物阱可以包括由多个翼片形成的翼片阱，所述翼片构造和布置成俘获由在所述等离子体形成部位生成等离子体所产生的碎片粒子。

所述辐射源还可以包括加热器，所述加热器构造和布置成将所述污染物阱加热至足以熔化由所述污染物阱所俘获的碎片的温度，或者将其加热至足以使由所述污染物阱所俘获的碎片蒸发的温度。所述加热器可以是感应加热器。

每个翼片的至少一部分可以具有到达所述等离子体形成部位的无阻碍的视线。

每个翼片可以相对于从所述等离子体形成部位沿径向延伸的轨迹成小于45度的角度。

每个翼片的至少一部分可以指向所述等离子体形成部位，或指向所述等离子体形成部位附近的位置。

根据本发明的第二方面，提供一种光刻设备，所述光刻设备包括本发明的第一方面所述的辐射源。