[发明专利]辐射源和光刻设备

权利要求书

1.一种辐射源，所述辐射源配置成生成极紫外辐射，所述辐射源包括：

等离子体形成部位，所述等离子体形成部位位于燃料将通过与辐射束接触而形成等离子体所在的位置；

出口，所述出口配置成允许气体出离辐射源；和

污染物阱，所述污染物阱设置在所述源的壁上，所述污染物阱配置成减少从所述源的所述壁散射或溅射到所述源的收集器上的碎片粒子的量。

2.根据权利要求1所述的辐射源，其中，所述污染物阱设置在由所述收集器形成的EUV辐射锥的外边界的外部。

3.根据权利要求1所述的辐射源，其中，所述污染物阱包括由多个翼片形成的翼片阱，所述翼片构造和布置成俘获由在所述等离子体形成部位生成等离子体所产生的碎片粒子。

4.根据权利要求1所述的辐射源，其中，所述污染物阱包括多个带锥度的阻挡件，所述带锥度的阻挡件构造和布置成俘获由在所述等离子体形成部位生成等离子体所产生的碎片粒子。

5.根据权利要求1所述的辐射源，还包括加热器，所述加热器构造和布置成将所述污染物阱加热至足以熔化由所述污染物阱所俘获的碎片的温度，或者将其加热至足以使由所述污染物阱所俘获的碎片蒸发的温度。

6.根据权利要求5所述的辐射源，其中，所述加热器是感应加热器。

7.根据权利要求6所述的辐射源，其中，所述污染物阱包括由多个翼片形成的翼片阱，所述翼片构造和布置成俘获由在所述等离子体形成部位生成等离子体所产生的碎片粒子，其中所述感应加热器构造和布置成加热所述翼片。

8.根据权利要求3所述的辐射源，其中，每个翼片的至少一部分具有到达所述等离子体形成部位的无阻碍的视线。

9.根据权利要求8所述的辐射源，其中，每个翼片相对于从所述等离子体形成部位沿径向延伸的轨迹成小于45度的角度。

10.根据权利要求3所述的辐射源，其中，每个翼片的至少一部分指向所述等离子体形成部位，或指向所述等离子体形成部位附近的位置。

11.根据权利要求3所述的辐射源，其中，所述翼片具有复合形状。

12.一种光刻设备，所述光刻设备包括根据权利要求1所述的辐射源。

13.一种光刻设备，所述光刻设备包括：

辐射源，所述辐射源配置成生成极紫外辐射，所述辐射源包括：

等离子体形成部位，所述等离子体形成部位位于燃料将通过与辐射束接触而形成等离子体所在的位置，

出口，所述出口配置成允许气体出离辐射源，和

污染物阱，所述污染物阱设置在所述源的壁上，所述污染物阱配置成减少从所述源的所述壁散射或溅射到所述源的收集器上的碎片粒子的量；

支撑件，所述支撑件构造和布置成支撑图案形成装置，所述图案形成装置配置成将所述极紫外辐射进行图案化；和

投影系统，所述投影系统构造和布置成将经过图案化的辐射投影到衬底上。