[发明专利]在载体上形成累积式互连结构用于在中间阶段的测试的半导体装置及方法

摘要

在载体上形成累积式互连结构用于在中间阶段的测试的半导体装置及方法。一种半导体装置，具有形成于载体上的第一互连结构。在测试第一互连结构为已知良好之后，将半导体小片设置在第一互连结构上。半导体小片为已知良好小片。在第一互连结构上形成诸如凸起或钉头凸起的竖直互连结构。离散型半导体装置设置在第一互连结构或第二互连结构上。密封剂沉积于半导体小片、第一互连结构和竖直互连结构上。密封剂的一部分被去除，以露出竖直互连结构。第二互连结构形成于密封剂上且电性连接于竖直互连结构。第一互连结构或第二互连结构包括具有嵌入的玻璃布、玻璃丝网、填料或纤维的绝缘层。

主权项

1.一种制造半导体装置的方法，包括：提供第一互连结构；在晶圆级测试所述第一互连结构；在测试所述第一互连结构之后，在所述第一互连结构上设置半导体小片；在所述第一互连结构上形成竖直互连结构；形成第二互连结构，所述第二互连结构包括：(a)绝缘层，以及(b)在所述绝缘层上形成的导电层；测试所述第二互连结构；在测试所述第二互连结构之后，与所述半导体小片相对将所述第二互连结构设置在所述第一互连结构之上；以及在所述第一互连结构和所述第二互连结构之间沉积密封剂。