[发明专利]在载体上形成累积式互连结构用于在中间阶段的测试的半导体装置及方法

说明书

在载体上形成累积式互连结构用于在中间阶段的测试的半导体装置及方法。一种半导体装置，具有形成于载体上的第一互连结构。在测试第一互连结构为已知良好之后，将半导体小片设置在第一互连结构上。半导体小片为已知良好小片。在第一互连结构上形成诸如凸起或钉头凸起的竖直互连结构。离散型半导体装置设置在第一互连结构或第二互连结构上。密封剂沉积于半导体小片、第一互连结构和竖直互连结构上。密封剂的一部分被去除，以露出竖直互连结构。第二互连结构形成于密封剂上且电性连接于竖直互连结构。第一互连结构或第二互连结构包括具有嵌入的玻璃布、玻璃丝网、填料或纤维的绝缘层。

主张国内优先权

本申请主张2012年9月14日提交的美国临时申请No. 61/701,366的权益，该美国临时申请通过参引的方式并入本文。

相关申请的交叉引用

本申请涉及序列号(TBD)、代理人卷号为2515.0408、名称为“SemiconductorDevice and Method of Forming Dual-Sided Interconnect Structures in Fo-WLCSP”的美国专利申请。本申请还涉及序列号(TBD)、代理人卷号为2515.0427、名称为“Semiconductor Device and Method of Forming Dual-Sided InterconnectStructures in Fo-WLCSP”的美国专利申请。

技术领域

本发明总的涉及半导体装置，并且更具体地，涉及在载体上形成累积式（build-up）互连结构以用于中间阶段的测试的半导体装置和方法。

背景技术

半导体装置常用于现代的电子产品。半导体装置在电子部件的数量和密度上不同。离散型半导体装置通常含有一种类型的电子部件，例如发光二极管(LED)、小信号晶体管、电阻器、电容器、电感器以及功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。集成式半导体装置一般含有数百个至数百万个电子部件。集成式半导体装置的示例包括微控制器、微处理器、电荷耦合装置(CCD)、太阳能电池、以及数字微镜装置(DMD)。

半导体装置执行广泛的功能，例如信号处理、高速计算、发送和接收电磁信号、控制电子装置、将太阳光转化成电力、以及产生用于电视显示的视觉投影。半导体装置在娱乐、通信、功率转换、网络、计算机和消费产品等领域中使用。半导体装置也在军事应用、航空、汽车、工业控制器和办公设备中使用。

半导体装置利用半导体材料的电子特性。半导体材料的结构允许通过施加电场或基电流或通过掺杂处理来操控其导电性。掺杂将杂质引入到半导体材料中，以操控和控制半导体装置的导电性。

半导体装置包含有源电子结构和无源电子结构。包括双极晶体管和场效应晶体管的有源结构控制电流的流动。通过改变掺杂水平以及对电场或基极电流的施加水平，晶体管或促进或限制电流的流动。包括电阻器、电容器和电感器的无源结构形成执行多种电子功能所需的电压和电流之间的关系。有源结构和无源结构电性连接以形成电路，所述电路使得半导体装置能够执行高速操作和其它有用的功能。

半导体装置通常使用两个复合制造工艺来制造，即前端制造和后端制造，前端制造和后端制造各自可能涉及数百个步骤。前端制造涉及在半导体晶圆的表面上形成多个小片。每个半导体小片一般是相同的并且包含通过将有源部件与无源部件电性连接而形成的电路。后端制造涉及从完成的晶圆上分割出各个半导体小片并且对小片进行封装以提供结构支承支承和环境隔离。如在本文中使用的术语“半导体小片”指的是词语的单数和复数两种形式，因而据此可指的是单个半导体装置和多个半导体装置两者。