[发明专利]在载体上形成累积式互连结构用于在中间阶段的测试的半导体装置及方法

权利要求书

1.一种制造半导体装置的方法，包括：

提供第一互连结构；

在晶圆级测试所述第一互连结构；

在测试所述第一互连结构之后，在所述第一互连结构上设置半导体小片；

在所述第一互连结构上形成竖直互连结构；

形成第二互连结构，所述第二互连结构包括：

(a)绝缘层，以及

(b)在所述绝缘层上形成的导电层；

测试所述第二互连结构；

在测试所述第二互连结构之后，与所述半导体小片相对将所述第二互连结构设置在所述第一互连结构之上；以及

在所述第一互连结构和所述第二互连结构之间沉积密封剂。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括在所述第一互连结构或所述第二互连结构上设置离散型半导体装置。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二互连结构的绝缘层包括嵌入的玻璃布、玻璃丝网、填料或纤维。

4.一种制造半导体装置的方法，包括：

提供第一互连结构；

测试所述第一互连结构；

在测试所述第一互连结构后，在所述第一互连结构上设置半导体小片；

提供第二互连结构；

测试所述第二互连结构；

在测试所述第二互连结构之后，在所述第一互连结构和半导体小片上设置所述第二互连结构；以及

在所述半导体小片、第一互连结构、以及第二互连结构上沉积密封剂。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：在将所述第二互连结构设置在所述第一互连结构和半导体小片上之前，在所述第二互连结构上形成竖直互连结构。

6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：在将所述第二互连结构设置在所述第一互连结构和半导体小片上之前，在所述第二互连结构上设置离散型半导体装置。

7.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第一互连结构或第二互连结构包括包含嵌入的玻璃布、玻璃丝网、填料或纤维的绝缘层。

8.一种半导体装置，包括：

第一已知良好互连结构；

设置在所述第一已知良好互连结构上的半导体小片；

沉积于所述半导体小片和第一已知良好互连结构上的密封剂；以及

在牺牲性载体上形成并设置在所述密封剂之上的第二已知良好互连结构，所述第二已知良好互连结构在所述第一已知良好互连结构与所述牺牲性载体之间，其中所述第二已知良好互连结构包括：

(a)在所述牺牲性载体上形成并在所述半导体小片上延伸的绝缘层，以及

(b)在所述绝缘层上形成的导电层。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体装置还包括设置在所述第一已知良好互连结构和第二已知良好互连结构之间的竖直互连结构。

10.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体小片为已知良好小片。

11.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体装置还包括设置在所述第一已知良好互连结构或所述第二已知良好互连结构上的离散型半导体装置。

12.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，所述第一已知良好互连结构或所述第二已知良好互连结构包括包含嵌入的玻璃布、玻璃丝网、填料或纤维的绝缘层。