[发明专利]记忆元件及其制造方法

摘要

本发明是有关于一种记忆元件及其制造方法。该记忆元件包括基底、多个绝缘结构、多条位线、多个介电层、多对电荷储存结构以及多条字线。所述基底中具有多个沟渠，各沟渠沿第一方向排列。所述绝缘结构位于所述沟渠中。所述位线位于所述绝缘结构下方的所述基底中。各介电层位于相邻的两个绝缘结构之间的所述基底上。各电荷储存结构位于相邻的所述绝缘结构与所述介电层之间的所述基底上。各字线沿第二方向排列,覆盖所述绝缘结构、所述电荷储存结构、所述介电层以及部分所述基底。本发明的记忆元件可以提供定位的电荷储存区域，以使电荷可以完全定位化储存,减少第二位元效应，并减少编成干扰的行为。本发明还提供了一种制造上述记忆元件的方法。

主权项

一种记忆元件，其特征在于其包括：一基底，所述基底中具有多个沟渠，各沟渠沿一第一方向排列；多个第一绝缘结构，位于所述沟渠中；多条位线，位于所述第一绝缘结构下方的所述基底中；多个介电层，各介电层位于相邻的两个第一绝缘结构之间的所述基底上；多对电荷储存结构，各电荷储存结构位于相邻的所述第一绝缘结构与所述介电层之间的所述基底上；以及多条字线，各字线沿一第二方向排列，覆盖所述第一绝缘结构、所述电荷储存结构、所述介电层以及部分所述基底。