[发明专利]非易失性记忆胞及其制造方法

摘要

本发明是有关于一种非易失性记忆胞及其制造方法。该非易失性记忆胞，包括基底、电荷储存结构以及穿隧介电层。其中基底中具有隔离结构，定义出主动区。电荷储存结构位于主动区上。电荷储存结构的底部宽度实质上等于主动区的宽度，电荷储存结构的侧壁与基底的上表面的第一夹角不同于隔离结构的侧壁与基底的上表面的第二夹角。穿隧介电层位于电荷储存结构与基底之间。穿隧介电层的下表面平坦，且穿隧介电层的上表面实质上与基底的上表面平行。

主权项

一种非易失性记忆胞，其特征在于其包括：基底，该基底中具有隔离结构，定义出主动区；电荷储存结构，位于该主动区上，其中该电荷储存结构的底部宽度实质上等于该主动区的宽度，该电荷储存结构的侧壁与该基底的上表面的第一夹角不同于该隔离结构的侧壁与该基底的该上表面的第二夹角；以及穿隧介电层，位于该电荷储存结构与该基底之间，其中该穿隧介电层的下表面平坦，且该穿隧介电层的上表面与该基底的该上表面平行。