[发明专利]非易失性记忆胞及其制造方法

权利要求书

1.一种非易失性记忆胞，其特征在于其包括：

基底，该基底中具有隔离结构，定义出主动区；

电荷储存结构，位于该主动区上，其中该电荷储存结构的底部宽度实质上等于该主动区的宽度，该电荷储存结构的侧壁与该基底的上表面的第一夹角不同于该隔离结构的侧壁与该基底的该上表面的第二夹角；以及

穿隧介电层，位于该电荷储存结构与该基底之间，其中该穿隧介电层的下表面平坦，且该穿隧介电层的上表面与该基底的该上表面平行。

2.根据权利要求1所述的非易失性记忆胞，其特征在于其中该电荷储存结构的材料为电荷捕捉层或导体层。

3.根据权利要求1所述的非易失性记忆胞，其特征在于其中该第一夹角小于该第二夹角。

4.根据权利要求1所述的非易失性记忆胞，其特征在于其中该电荷储存结构的中间宽度与其底部宽度相同，或其差异小于10nm。

5.根据权利要求1所述的非易失性记忆胞，其特征在于其中该电荷储存结构的中间宽度与其顶部宽度相同，或其差异小于10nm。

6.一种非易失性记忆胞的制造方法，其特征在于其包括以下步骤：

在基底上形成多个图案化的罩幕层；

在该些图案化的罩幕层的侧壁形成多个间隙壁；

以该些图案化的罩幕层与该些间隙壁为罩幕，移除部分该基底，以形成多个沟渠，其中任意相邻两个沟渠之间定义出主动区；

形成多个隔离结构，该些隔离结构位于该些沟渠中并且向上延伸至该些间隙壁之间；

移除该图案化的罩幕层与该些间隙壁，以在该些隔离结构之间以及该些主动区上形成多个开口；以及

在每一开口中形成穿隧介电层与电荷储存结构，其中，该些穿隧介电层的下表面平坦且与该基底的上表面平行，该些电荷储存结构的底部宽度等于对应的该些主动区的宽度，该些电荷储存结构的侧壁与该基底的该上表面的第一夹角不同于该隔离结构的侧壁与该基底的该上表面的第二夹角。

7.根据权利要求6所述的非易失性记忆胞的制造方法，其特征在于其还包括：

在该些间隙壁与该些图案化的罩幕层之间形成多个衬层；以及

在每一开口中形成该穿隧介电层与该电荷储存结构之前，移除该些衬层。

8.根据权利要求7所述的非易失性记忆胞的制造方法，其特征在于其中该衬层与该些间隙壁的材料不同，且与该些图案化罩幕层的材料不同。

9.根据权利要求6所述的非易失性记忆胞的制造方法，其特征在于其中形成该些隔离结构的步骤包括：

在该基底上形成一绝缘层，并填入于该些沟渠中；以及

进行平坦化工艺，移除该罩幕层上的该绝缘层。

10.根据权利要求9所述的非易失性记忆胞的制造方法，其特征在于其还包括回蚀刻该沟渠上的该绝缘层。