[发明专利]三端口射频器件的测试结构及测试方法

摘要

本发明公开了一种三端口射频器件的测试结构，测试结构一、二和三，三个测试结构中的被测试器件相同，依次有一个端口串联电阻、其它两个端口接G‑S‑G测试端口；针对测试结构一、二和三中串联的电阻，分别设置一套电阻测试结构，每套电阻测试结构包括测试结构四、五、六和七，测试结构四中包括一个被测电阻、被测电阻两端口连接G‑S‑G测试端口，测试结构五为测试结构四的开路去嵌结构，测试结构六和七为测试结构四的直通去嵌结构一和二。本发明公开了一种三端口射频器件的测试方法。本发明能够利用二端口网络分析仪来实现三端口射频器件的射频参数测试，能大大降低测试成本，并能提高测试效率。

主权项

一种三端口射频器件的测试结构，其特征在于，三端口射频器件包括端口一、端口二和端口三，测试结构包括：测试结构一，包括一个被测器件一，所述被测器件一为三端口射频器件，所述被测器件一的端口一接G‑S‑G测试端口，所述被测器件一的端口二接G‑S‑G测试端口，所述被测器件一的端口三和地之间串联电阻三；测试结构二，包括一个被测器件二，所述被测器件二为一和所述被测器件一相同的三端口射频器件，所述被测器件二的端口一接G‑S‑G测试端口，所述被测器件二的端口三接G‑S‑G测试端口，所述被测器件二的端口二和地之间串联电阻二；测试结构三，包括一个被测器件三，所述被测器件三为一和所述被测器件一相同的三端口射频器件，所述被测器件三的端口二接G‑S‑G测试端口，所述被测器件三的端口三接G‑S‑G测试端口，所述被测器件三的端口一和地之间串联电阻一；测试结构四，包括一个被测电阻，所述被测电阻的端口一接G‑S‑G测试端口，所述被测电阻的端口二接G‑S‑G测试端口，且所述被测电阻的端口一和对应的G‑S‑G测试端口的信号端通过连线一连接、所述被测电阻的端口二和对应的G‑S‑G测试端口的信号端通过连线二连接；测试结构五，为所述测试结构四的开路去嵌结构，所述测试结构五和所述测试结构四相比，所述测试结构五仅设置有两个G‑S‑G测试端口，且所述测试结构五中的两个G‑S‑G测试端口之间的相对位置和所述测试结构四中的两个G‑S‑G测试端口的相对位置相同，所述测试结构五的两个G‑S‑G测试端口之间没有设置所述被测电阻、所述连线一和所述连线二；测试结构六，为所述测试结构四的直通去嵌结构一，所述测试结构六设置有两个G‑S‑G测试端口、以及连接两个G‑S‑G测试端口的信号端的连线三，所述连线三的长度和所述连线一的长度相同；测试结构七，为所述测试结构四的直通去嵌结构二，所述测试结构七设置有两个G‑S‑G测试端口、以及连接两个G‑S‑G测试端口的信号端的连线四，所述连线四的长度和所述连线二的长度相同；所述测试结构四、所述测试结构五、所述测试结构六和所述测试结构七组成一套电阻测试结构，所述电阻测试结构包括三套，电阻测试结构一中的被测电阻和所述电阻一相同，电阻测试结构二中的被测电阻和所述电阻二相同，电阻测试结构三中的被测电阻和所述电阻三相同。