[发明专利]三端口射频器件的测试结构及测试方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体集成电路制造领域，特别是涉及一种三端口射频器件的测试结构；本发明还涉及一种三端口射频器件的测试方法。

背景技术

在集成有射频器件的半导体集成电路中，三端口射频器件是常用的器件，如晶体管、变压器、射频电阻等，在射频器件设计中，首先需要得到射频器件的射频参数模型，之后才能根据各种射频器件的射频参数模型进行集成有射频器件的半导体集成电路设计。为了得到三端口射频器件的射频参数，现有技术一般需要使用三端口或者四端口网络分析仪进行测试，如图1所示，是现有三端口射频器件的测试结构示意图，现有三端口射频器件的测试结构包括三端口被测器件101，该三端口被测器件101为三端口射频器件，在三端口被测器件101的端口一处连接地-信号-地（G-S-G）测试端口102a、端口二处连接G-S-G测试端口102b、端口三处连接G-S-G测试端口102c，其中G-S-G中的G、S和G分别表示地、信号和地，分别用于接地、连接信号和接地。

现有技术中在使用如图1所示的测试结构进行测试时，需要三端口网络分析仪，将三端口网络分析仪的三个端口分别连接G-S-G测试端口102a、102b和102c，并进行测试得到三端口被测器件101的散射参数（S参数）。

但是，在三端口或者四端口网络分析仪的价格非常昂贵，二端口网络分析仪则价格便宜且技术成熟、普及度也高，很多公司都配备了二端口网络分析仪，但是三端口或者四端口网络分析仪则没有配备或配备的较少。因此，如果能够利用二端口网络分析仪来实现三端口射频器件的射频参数测试，则必能大大降低测试成本，且能提高测试效率。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种三端口射频器件的测试结构，能够利用二端口网络分析仪来实现三端口射频器件的射频参数测试，能大大降低测试成本，并能提高测试效率。为此，本发明还提供一种三端口射频器件的测试方法。

为解决上述技术问题，本发明提供的三端口射频器件的测试结构中三端口射频器件包括端口一、端口二和端口三，测试结构包括：

测试结构一，包括一个被测器件一，所述被测器件一为三端口射频器件，所述被测器件一的端口一接G-S-G测试端口，所述被测器件一的端口二接G-S-G测试端口，所述被测器件一的端口三和地之间串联电阻三。

测试结构二，包括一个被测器件二，所述被测器件二为一和所述被测器件一相同的三端口射频器件，所述被测器件二的端口一接G-S-G测试端口，所述被测器件二的端口三接G-S-G测试端口，所述被测器件二的端口二和地之间串联电阻二。

测试结构三，包括一个被测器件三，所述被测器件三为一和所述被测器件一相同的三端口射频器件，所述被测器件三的端口二接G-S-G测试端口，所述被测器件三的端口三接G-S-G测试端口，所述被测器件三的端口一和地之间串联电阻一。

测试结构四，包括一个被测电阻，所述被测电阻的端口一接G-S-G测试端口，所述被测电阻的端口二接G-S-G测试端口，且所述被测电阻的端口一和对应的G-S-G测试端口的信号端通过连线一连接、所述被测电阻的端口二和对应的G-S-G测试端口的信号端通过连线二连接。

测试结构五，为所述测试结构四的开路去嵌结构，所述测试结构五和所述测试结构四相比，所述测试结构五仅设置有两个G-S-G测试端口，且所述测试结构五中的两个G-S-G测试端口之间的相对位置和所述测试结构四中的两个G-S-G测试端口的相对位置相同，所述测试结构五的两个G-S-G测试端口之间没有设置所述被测电阻、所述连线一和所述连线二。

测试结构六，为所述测试结构四的直通去嵌结构一，所述测试结构六设置有两个G-S-G测试端口、以及连接两个G-S-G测试端口的信号端的连线三，所述连线三的长度和所述连线一的长度相同。

测试结构七，为所述测试结构四的直通去嵌结构二，所述测试结构七设置有两个G-S-G测试端口、以及连接两个G-S-G测试端口的信号端的连线四，所述连线四的长度和所述连线二的长度相同。

所述测试结构四、所述测试结构五、所述测试结构六和所述测试结构七组成一套电阻测试结构，所述电阻测试结构包括三套，电阻测试结构一中的被测电阻和所述电阻一相同，电阻测试结构二中的被测电阻和所述电阻二相同，电阻测试结构三中的被测电阻和所述电阻三相同。

进一步的改进是，所述电阻一、所述电阻二和所述电阻三的阻值相同且大于1欧姆。