[发明专利]三端口射频器件的测试结构及测试方法

权利要求书

1.一种三端口射频器件的测试结构，其特征在于，三端口射频器件包括端口一、端口二和端口三，测试结构包括：

测试结构一，包括一个被测器件一，所述被测器件一为三端口射频器件，所述被测器件一的端口一接G-S-G测试端口，所述被测器件一的端口二接G-S-G测试端口，所述被测器件一的端口三和地之间串联电阻三；

测试结构二，包括一个被测器件二，所述被测器件二为一和所述被测器件一相同的三端口射频器件，所述被测器件二的端口一接G-S-G测试端口，所述被测器件二的端口三接G-S-G测试端口，所述被测器件二的端口二和地之间串联电阻二；

测试结构三，包括一个被测器件三，所述被测器件三为一和所述被测器件一相同的三端口射频器件，所述被测器件三的端口二接G-S-G测试端口，所述被测器件三的端口三接G-S-G测试端口，所述被测器件三的端口一和地之间串联电阻一；

测试结构四，包括一个被测电阻，所述被测电阻的端口一接G-S-G测试端口，所述被测电阻的端口二接G-S-G测试端口，且所述被测电阻的端口一和对应的G-S-G测试端口的信号端通过连线一连接、所述被测电阻的端口二和对应的G-S-G测试端口的信号端通过连线二连接；

测试结构五，为所述测试结构四的开路去嵌结构，所述测试结构五和所述测试结构四相比，所述测试结构五仅设置有两个G-S-G测试端口，且所述测试结构五中的两个G-S-G测试端口之间的相对位置和所述测试结构四中的两个G-S-G测试端口的相对位置相同，所述测试结构五的两个G-S-G测试端口之间没有设置所述被测电阻、所述连线一和所述连线二；

测试结构六，为所述测试结构四的直通去嵌结构一，所述测试结构六设置有两个G-S-G测试端口、以及连接两个G-S-G测试端口的信号端的连线三，所述连线三的长度和所述连线一的长度相同；

测试结构七，为所述测试结构四的直通去嵌结构二，所述测试结构七设置有两个G-S-G测试端口、以及连接两个G-S-G测试端口的信号端的连线四，所述连线四的长度和所述连线二的长度相同；

所述测试结构四、所述测试结构五、所述测试结构六和所述测试结构七组成一套电阻测试结构，所述电阻测试结构包括三套，电阻测试结构一中的被测电阻和所述电阻一相同，电阻测试结构二中的被测电阻和所述电阻二相同，电阻测试结构三中的被测电阻和所述电阻三相同。

2.如权利要求1所述的三端口射频器件的测试结构，其特征在于：所述电阻一、所述电阻二和所述电阻三的阻值相同且大于1欧姆。

3.如权利要求2所述的三端口射频器件的测试结构，其特征在于：所述电阻测试结构一、所述电阻测试结构二和所述电阻测试结构三相同，所述电阻测试结构由所述电阻测试结构一、所述电阻测试结构二和所述电阻测试结构三中的任意一套组成、其它两套省略。

4.如权利要求1或2或3所述的三端口射频器件的测试结构，其特征在于：所述连线一的长度大于100微米，所述连线二的长度大于100微米。