[发明专利]半导体封装及其形成方法在审
| 申请号： | 201310159530.6 | 申请日： | 2013-05-03 |
| 公开（公告）号： | CN103383927A | 公开（公告）日： | 2013-11-06 |
| 发明（设计）人： | 朴辰遇;李锡贤 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/488;H01L23/528;H01L21/60;H01L21/50 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 屈玉华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 发明构思提供了半导体封装及其形成方法。该半导体封装包括覆盖半导体芯片的至少一个侧壁的缓冲层。缓冲层被模制层覆盖。因此，可改善半导体封装的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体封装，包括：第一半导体芯片，包括彼此相反的第一表面和第二表面，所述第一半导体芯片具有第一导电图案和第一钝化层，该第一钝化层覆盖所述第一表面且具有暴露所述第一导电图案的开口；缓冲层，覆盖所述第一半导体芯片的顶表面和侧壁；模制层，覆盖所述缓冲层；以及第一再分布层，设置在所述第一钝化层的底表面上，所述第一再分布层电连接到所述第一导电图案。
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