[发明专利]半导体封装及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体封装，包括：

第一半导体芯片，包括彼此相反的第一表面和第二表面，所述第一半导体芯片具有第一导电图案和第一钝化层，该第一钝化层覆盖所述第一表面且具有暴露所述第一导电图案的开口；

缓冲层，覆盖所述第一半导体芯片的顶表面和侧壁；

模制层，覆盖所述缓冲层；以及

第一再分布层，设置在所述第一钝化层的底表面上，所述第一再分布层电连接到所述第一导电图案。

2.如权利要求1所述的半导体封装，其中所述第一再分布层与所述第一钝化层直接接触。

3.如权利要求2所述的半导体封装，还包括电耦接到所述第一再分布层的外部端子。

4.如权利要求1所述的半导体封装，其中所述缓冲层的侧壁与所述模制层的侧壁基本上彼此竖直对准。

5.如权利要求1所述的半导体封装，其中所述模制层与所述第一钝化层间隔开。

6.如权利要求5所述的半导体封装，其中所述模制层通过所述缓冲层与所述第一钝化层间隔开。

7.如权利要求1所述的半导体封装，其中所述缓冲层的侧壁和所述模制层的侧壁形成所述封装的外部侧壁。

8.如权利要求1所述的半导体封装，其中所述缓冲层包括与形成所述模制层的材料不同的介电材料。

9.如权利要求1所述的半导体封装，其中所述缓冲层包括与所述第一钝化层相同的材料。

10.如权利要求1所述的半导体封装，其中所述缓冲层具有在50ppm/°C至100ppm/°C范围的热膨胀系数。

11.如权利要求10所述的半导体封装，其中所述模制层的热膨胀系数在7ppm/°C至20ppm/°C范围。

12.如权利要求1所述的半导体封装，其中所述缓冲层具有在1GPA至4GPA范围的弹性系数。

13.如权利要求12所述的半导体封装，其中所述模制层的弹性系数在20Gpa至25GPa的范围。

14.如权利要求1所述的半导体封装，其中所述缓冲层由非感光聚合物材料形成。

15.如权利要求14所述的半导体封装，其中所述非感光材料是非感光聚酰亚胺。

16.如权利要求1所述的半导体封装，其中所述缓冲层的底表面设置在等于或高于所述第一钝化层的所述底表面的水平处。

17.如权利要求1所述的半导体封装，其中所述缓冲层设置在所述第一半导体芯片的所述第二表面与所述模制层之间。

18.如权利要求1所述的半导体封装，其中所述第一再分布层的一部分接触所述缓冲层的底表面。

19.如权利要求18所述的半导体封装，还包括：

第二钝化层，覆盖所述第一钝化层的所述底表面和所述缓冲层的所述底表面以及所述第一再分布层的一部分，

20.如权利要求18所述的半导体封装，其中所述第二钝化层包括与所述第一钝化层和所述缓冲层相同的材料。

21.如权利要求19所述的半导体封装，其中所述第二钝化层通过所述缓冲层与所述模制层间隔开。

22.如权利要求1所述的半导体封装，还包括：

第二半导体芯片，层叠在所述第一半导体芯片上并且被所述模制层覆盖，

其中所述第二半导体芯片包括第二导电图案；以及

其中所述缓冲层覆盖所述第二半导体芯片的一部分底表面及至少一个侧壁。

23.如权利要求22所述的半导体封装，其中所述缓冲层基本上覆盖所述第二半导体芯片的全部侧壁。

24.如权利要求22所述的半导体封装，其中所述第二导电图案不交叠所述第一半导体芯片，

所述半导体封装还包括：

第二再分布层，设置在所述缓冲层的底表面的一部分上，所述第二再分布层穿过所述缓冲层以电连接到所述第二导电图案。