[发明专利]半导体封装及其形成方法

说明书

技术领域

发明构思涉及半导体封装及其形成方法。

背景技术

传统上，电子工业期望具有低制造成本的更小且更轻的半导体封装。此外，已经开发了许多种半导体封装以在各种应用中使用。例如，可以通过在印刷电路板（PCB）上安装半导体芯片、执行模制工艺、然后将焊球接合到PCB的底部而形成球栅阵列（BGA）封装。BGA封装通常需要模制工艺和PCB，使得难以减小BGA封装的厚度。

已经提出了晶片级封装（WLP），用于处理BGA封装的上述缺点。在WLP封装中，再分布层可以形成在半导体芯片的底部上。在WLP封装中可以不需要模制工艺和PCB。因此，WLP封装可以利用简单工艺形成，具有减小的厚度。然而，由于WLP封装的尺寸非常小，所以WLP封装会存在其他的问题。

发明内容

在一些实施方式中，半导体封装包括第一半导体芯片，该第一半导体芯片包括彼此相反的第一表面和第二表面。第一半导体芯片具有第一导电图案和覆盖第一表面且具有开口以暴露第一导电图案的第一钝化层。该半导体封装还包括：缓冲层，覆盖第一半导体芯片的顶表面和侧壁；模制层，覆盖缓冲层；和第一再分布层，设置在第一钝化层的底表面上。第一再分布层电连接到第一导电图案。

在一些实施方式中，第一再分布层可与第一钝化层直接接触。

在一些实施方式中，半导体封装包括：半导体芯片，包括彼此相反的第一表面和第二表面，半导体芯片具有导电图案和钝化层，钝化层覆盖第一表面且具有暴露导电图案的开口；缓冲层，基本上覆盖半导体芯片的整个侧壁；模制层，覆盖缓冲层；以及再分布层，设置在钝化层的底表面上，再分布层电连接到导电图案。

在一些实施方式中，半导体封装包括：半导体芯片，具有焊盘；钝化层，形成在半导体芯片上，钝化层具有暴露出焊盘的开口；缓冲层，覆盖半导体芯片；模制层，覆盖缓冲层；以及再分布层，电连接到焊盘，其中再分布层与钝化层直接接触。

在一些实施方式中，半导体封装的形成方法包括：将包括第一导电图案的第一半导体芯片放置在载体上；形成覆盖第一半导体芯片的顶表面和侧壁的缓冲层；在缓冲层上形成模制层；使第一半导体芯片与载体分离；以及在第一半导体芯片的底表面上形成电连接到第一导电图案的第一再分布层。

在一些实施方式中，半导体封装的形成方法包括：在载体上放置多个半导体芯片，每个半导体芯片包括具有开口以暴露焊盘的钝化层；用缓冲层涂敷多个半导体芯片，使得多个半导体芯片的基本上所有侧壁被缓冲层覆盖；形成位于缓冲层上的模制层；以及形成电连接到多个半导体芯片中相应的一个的焊盘的再分布层。

附图说明

考虑到附图和随后的详细描述，发明构思将变得更明显。

图1是示出根据发明构思的第一实施例的半导体封装的截面图；

图2和图3是图1的部分“A”的放大视图；

图4至图11是示出图1的半导体封装的形成方法的截面图；

图12是示出图1的半导体封装的变型示例的截面图；

图13是示出根据发明构思的第二实施例的半导体封装的截面图；

图14至图19是示出图13的半导体封装的形成方法的截面图；

图20是示出根据发明构思的第三实施例的半导体封装的截面图；

图21至图25是示出图20的半导体封装的形成方法的截面图；

图26和图27是示出图20的半导体封装的变型示例的截面图；

图28是示出根据发明构思的第四实施例的半导体封装的截面图；

图29是示出包括根据发明构思实施例的半导体封装的封装模块示例的示意图；

图30是示出包括根据发明构思实施例的半导体封装的电子装置示例的示意框图；以及

图31是示出包括根据发明构思实施例的半导体封装的存储系统示例的示意框图。

具体实施方式

现在将参考附图更充分地描述本发明构思，在附图中示出发明构思的示范实施例。通过参考附图将在以下更详细地描述的示范实施例，发明构思的优点和特征以及实现这些优点和特征的方法将变得明显。然而，应当注意，发明构思不限于以下的示范实施例，而是可以以各种形式实现。因此，提供示范实施例仅用于公开发明构思并让本领域技术人员了解发明构思的种类。在附图中，发明构思的实施例不限于在此提供的具体示例，并且为了清楚而被夸大。