[发明专利]浅沟道隔离区的制作方法无效
| 申请号： | 201310158900.4 | 申请日： | 2013-05-02 |
| 公开（公告）号： | CN103247567A | 公开（公告）日： | 2013-08-14 |
| 发明（设计）人： | 陈佳旅;张幼杰;曹亚民 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;林彦之 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种浅沟道隔离区的制作方法包括提供衬底，在该衬底上依次沉积缓冲氧化层和氮化物层，利用STI制造工艺刻蚀出浅沟道；对浅沟道两侧的缓冲氧化层切口进行刻蚀，形成凹槽；对浅沟道两侧的氮化物层进行第一次回刻；在衬底表面生长一层氧化膜；对浅沟道两侧的氮化物层进行第二次回刻。本发明从氮化物的形貌着手，通过较少工艺过程的改动，实现对器件的性能改善；利用两次回刻来改善氮化硅的形貌，从而解决去除氮化硅后浅沟隔离顶部边缘缺角或凹陷的问题，同时，可以改善浅沟道隔离区角部的轮廓，便于后续工序。 | ||
| 搜索关键词： | 沟道 隔离 制作方法 | ||
【主权项】：
一种浅沟道隔离区的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S01，提供衬底，在该衬底上依次沉积缓冲氧化层和氮化物层，利用STI制造工艺刻蚀出浅沟道；步骤S02，对浅沟道两侧的缓冲氧化层切口进行刻蚀，形成凹槽；步骤S03，对浅沟道两侧的氮化物层进行第一次回刻，露出氮化物层下方凹槽以下的部分衬底；步骤S04，在衬底表面生长一层氧化膜；步骤S05，对浅沟道两侧的氮化物层进行第二次回刻。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
