[发明专利]浅沟道隔离区的制作方法无效
| 申请号： | 201310158900.4 | 申请日： | 2013-05-02 |
| 公开（公告）号： | CN103247567A | 公开（公告）日： | 2013-08-14 |
| 发明（设计）人： | 陈佳旅;张幼杰;曹亚民 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;林彦之 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 沟道 隔离 制作方法 | ||
1.一种浅沟道隔离区的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤S01，提供衬底，在该衬底上依次沉积缓冲氧化层和氮化物层，利用STI制造工艺刻蚀出浅沟道；
步骤S02，对浅沟道两侧的缓冲氧化层切口进行刻蚀，形成凹槽；
步骤S03，对浅沟道两侧的氮化物层进行第一次回刻，露出氮化物层下方凹槽以下的部分衬底；
步骤S04，在衬底表面生长一层氧化膜；
步骤S05，对浅沟道两侧的氮化物层进行第二次回刻。
2.根据权利要求1所述的浅沟道隔离区的制作方法，其特征在于：步骤S01中沉积的缓冲氧化层厚度为5～30纳米，氮化物层厚度为50～100纳米。
3.根据权利要求1所述的浅沟道隔离区的制作方法，其特征在于：步骤S02中对缓冲氧化层刻蚀的宽度为10～20纳米。
4.根据权利要求3所述的浅沟道隔离区的制作方法，其特征在于：步骤S03中对氮化物层回刻的宽度为5～15纳米，且小于步骤S02中氧化层刻蚀的宽度。
5.根据权利要求1所述的浅沟道隔离区的制作方法，其特征在于：步骤S04中氧化膜与缓冲氧化层材质相同并相连形成完全覆盖衬底表面的氧化层。
6.根据权利要求5所述的浅沟道隔离区的制作方法，其特征在于：步骤S04采用薄膜生长工艺，且该氧化膜的厚度为5～10纳米且小于缓冲氧化层的厚度。
7.根据权利要求1至6任一项所述的浅沟道隔离区的制作方法，其特征在于：步骤S05包括对浅沟道两侧的氮化物层进行第二次回刻，去除缓冲氧化层两侧附近的氮化物层。
8.根据权利要求7所述的浅沟道隔离区的制作方法，其特征在于：步骤S05中对氮化物层回刻的宽度为5～10纳米。
9.根据权利要求8所述的浅沟道隔离区的制作方法，其特征在于：该缓冲氧化层是SiO2，该氮化物层是SiN，该氧化膜是SiO2。
10.根据权利要求9所述的浅沟道隔离区的制作方法，其特征在于：步骤S02、步骤S03和步骤S05均采用湿法刻蚀，刻蚀介质是酸性液体。
11.根据权利要求10所述的浅沟道隔离区的制作方法，其特征在于：步骤S02采用HF作为刻蚀介质，步骤S03和步骤S05采用H3PO4作为刻蚀介质。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
