[发明专利]一种高效产业化生产番薯脱毒组培苗的方法

摘要

本发明公开了一种高效产业化生产番薯脱毒组培苗的方法，包括以下步骤：（1）材料培养，（2）材料消毒，（3）外植体芽诱导，（4）继代增值培养，（5）病毒检测，（6）生根培养，（7）炼苗、移栽。本发明根据病毒在植株顶端生长点的数量远远少于植株下部的成熟部位的原理，加大取生长点的代数，达到脱毒的目的。本发明采用低激素浓度、改良MS基本培养基和三天的暗培养的方法，大大降低了脱毒组培苗的变异率，加快了组培苗的生长速度，缩短了繁殖周期，扩繁速度高，生产成本低。

主权项

一种高效产业化生产番薯脱毒组培苗的方法，其特征在于包括以下步骤：（1）材料培养从大田取回待脱毒番薯的20～30㎝长的茎段，扦插在大棚苗床上，让其生长新枝；过程中，每星期浇一次营养液，每5天用50%多菌灵或百菌清500倍喷叶及周围环境，每天晚上用75%酒精喷一次周围环境，以保棚内环境清洁；待新长出的枝长到8～10㎝时，剪下新枝，重新扦插到新的培养基上，用同样的方法让它长出新枝；（2）材料消毒待二次扦插苗的新枝长到8㎝以上时，取两三节长的茎段，剪下后放入消毒过的密封玻璃瓶中密封，拿到超净工作台，用75%酒精浸19～20秒，再用0.1%升汞消毒5～7分钟，最后用无菌水冲洗4～5次；（3）外植体芽诱导切取1㎝消毒过的外植体的腋节位接种到外植体芽诱导培养基，接种后进行三天时间的暗培养，温度设28±2℃，在光周期16小时以上，光强2000LX以上；（4）继代增值培养外植体培养25天，薯苗长至3㎝～6㎝时，取每株生长点2～4mm单独培养于继代增殖培养基，剩余茎段单节培养于继代增殖培养基，接种后进行三天暗培养，温度设28±2℃，在光周期16小时以上，光强2000LX以上；三天后便可生根，下代再取生长点和单节茎段培养， 12～15天或20天继代一次，增殖系数可达4～5倍；（5）病毒检测增殖第三、四代后便进行病毒检测，首先采用目测法，淘汰弱苗和显症苗，然后随机抽样采用指示植物法进行鉴定，随机抽样脱毒率低于100%，则加大培养代数，直至随机抽样脱毒率达100%；（6）生根培养取每株生长点2～4mm接到生根培养基，增强光照时间和光照强度，或放在自然光下培养生根；（7）炼苗、移栽生根好后的苗在放在自然光下炼苗1周，再打开瓶口放3～5天，然后洗净培养基，剪去过长的根，放入0.2%高锰酸钾浸泡1～2分钟，取出凉干后，栽入培养土，然后再盖一层拱膜，每天都要让其通风排气，保持培养土湿润，湿度在80～85%，待其长到5～8片新叶移栽大田。