[发明专利]一种高效产业化生产番薯脱毒组培苗的方法

说明书

技术领域

本发明属于农业生物技术领域，具体涉及一种高效产业化生产番薯脱毒组培苗的方法。

背景技术

番薯( Ipomoea batatas Lam. ) 是一种重要的粮食、饲料和工业原料作物，具有产量高、营养丰富、稳产性好等优点。然而，由于番薯病毒病的广泛存在，以及生产中番薯以薯块进行无性繁殖，造成病毒病的蔓延，从而造成番薯产量降低、品质下降、种性退化。目前科研上主要通过茎尖离体培养获得脱毒种苗，但此方法运用于产业化大批量生产，扩繁速度慢，变异率高，生产成本高。

发明内容

本发明的目的是提供了一种方法简单、成本低、变异率低、扩繁速度快、缩短了繁殖周期的高效产业化生产番薯脱毒组培苗的方法。

为了实现上述目的，本发明的技术方案为：提供一种高效产业化生产番薯脱毒组培苗的方法，包括以下步骤：

（1）材料培养

从大田取回待脱毒番薯的20～30㎝长的茎段，扦插在大棚苗床上，让其生长新枝；过程中，每星期浇一次营养液，每5天用50%多菌灵或百菌清500倍喷叶及周围环境，每天晚上用75%酒精喷一次周围环境，以保棚内环境清洁；待新长出的枝长到8～10㎝时，剪下新枝，重新扦插到新的培养基上，用同样的方法让它长出新枝；

（2）材料消毒

待二次扦插苗的新枝长到8㎝以上时，取两三节长的茎段，剪下后放入消毒过的密封玻璃瓶中密封，拿到超净工作台，用75%酒精浸19～20秒，再用0.1%升汞消毒5～7分钟，最后用无菌水冲洗4～5次；

（3）外植体芽诱导

切取1㎝消毒过的外植体的腋节位接种到外植体芽诱导培养基，接种后进行三天时间的暗培养，温度设28±2℃，在光周期16小时以上，光强2000LX以上；

（4）继代增值培养

外植体培养25天，薯苗长至3㎝～6㎝时，取每株生长点2～4mm单独培养于继代增殖培养基，剩余茎段单节培养于继代增殖培养基，接种后进行三天暗培养，温度设28±2℃，在光周期16小时以上，光强2000LX以上；三天后便可生根，下代再取生长点和单节茎段培养， 12～15天或20天继代一次，增殖系数可达4～5倍；

（5）病毒检测

增殖第三、四代后便进行病毒检测，首先采用目测法，淘汰弱苗和显症苗，然后随机抽样采用指示植物法进行鉴定，随机抽样脱毒率低于100%，则加大培养代数，直至随机抽样脱毒率达100%；

（6）生根培养

取每株生长点2～4mm接到生根培养基，增强光照时间和光照强度，或放在自然光下培养生根；

（7）炼苗、移栽

生根好后的苗在放在自然光下炼苗1周，再打开瓶口放3～5天，然后洗净培养基，剪去过长的根，放入0.2%高锰酸钾浸泡1～2分钟，取出凉干后，栽入培养土，然后再盖一层拱膜，每天都要让其通风排气，保持培养土湿润，湿度在80～85%，待其长到5～8片新叶移栽大田。

外殖体芽诱导的培养基配方为：MS+6-BA 0～0.5mg/L+IBA 0～0.5mg/L+白糖30g+活性碳 3～6g+琼脂 6g；

继代增殖培养的培养基配方为：改良MS+IBA 0～0.5mg/L+白糖 30g+琼脂 6g；

生根培养的培养基配方为：改良2/3MS+IBA 0～0.5mg/L+白糖 30g+琼脂 6g+活性碳 3～6g。

改良MS培养基配方(单位： mg／L ）