[发明专利]一种高效产业化生产番薯脱毒组培苗的方法无效
申请号: | 201310152349.2 | 申请日: | 2013-04-27 |
公开(公告)号: | CN103202232A | 公开(公告)日: | 2013-07-17 |
发明(设计)人: | 朱红林;王效宁;刘迪;孟卫东;齐兰 | 申请(专利权)人: | 海南省农业科学院粮食作物研究所 |
主分类号: | A01H4/00 | 分类号: | A01H4/00 |
代理公司: | 海口翔翔专利事务有限公司 46001 | 代理人: | 刘清莲 |
地址: | 571100*** | 国省代码: | 海南;66 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 高效 产业化 生产 番薯 脱毒 组培苗 方法 | ||
1.一种高效产业化生产番薯脱毒组培苗的方法,其特征在于包括以下步骤:(1)材料培养
从大田取回待脱毒番薯的20~30㎝长的茎段,扦插在大棚苗床上,让其生长新枝;过程中,每星期浇一次营养液,每5天用50%多菌灵或百菌清500倍喷叶及周围环境,每天晚上用75%酒精喷一次周围环境,以保棚内环境清洁;待新长出的枝长到8~10㎝时,剪下新枝,重新扦插到新的培养基上,用同样的方法让它长出新枝;
(2)材料消毒
待二次扦插苗的新枝长到8㎝以上时,取两三节长的茎段,剪下后放入消毒过的密封玻璃瓶中密封,拿到超净工作台,用75%酒精浸19~20秒,再用0.1%升汞消毒5~7分钟,最后用无菌水冲洗4~5次;
(3)外植体芽诱导
切取1㎝消毒过的外植体的腋节位接种到外植体芽诱导培养基,接种后进行三天时间的暗培养,温度设28±2℃,在光周期16小时以上,光强2000LX以上;
(4)继代增值培养
外植体培养25天,薯苗长至3㎝~6㎝时,取每株生长点2~4mm单独培养于继代增殖培养基,剩余茎段单节培养于继代增殖培养基,接种后进行三天暗培养,温度设28±2℃,在光周期16小时以上,光强2000LX以上;三天后便可生根,下代再取生长点和单节茎段培养, 12~15天或20天继代一次,增殖系数可达4~5倍;
(5)病毒检测
增殖第三、四代后便进行病毒检测,首先采用目测法,淘汰弱苗和显症苗,然后随机抽样采用指示植物法进行鉴定,随机抽样脱毒率低于100%,则加大培养代数,直至随机抽样脱毒率达100%;
(6)生根培养
取每株生长点2~4mm接到生根培养基,增强光照时间和光照强度,或放在自然光下培养生根;
(7)炼苗、移栽
生根好后的苗在放在自然光下炼苗1周,再打开瓶口放3~5天,然后洗净培养基,剪去过长的根,放入0.2%高锰酸钾浸泡1~2分钟,取出凉干后,栽入培养土,然后再盖一层拱膜,每天都要让其通风排气,保持培养土湿润,湿度在80~85%,待其长到5~8片新叶移栽大田。
2.如权利要求1所述的一种高效产业化生产番薯脱毒组培苗的方法,其特征在于:
外殖体芽诱导的培养基配方为:MS+6-BA 0~0.5mg/L+IBA 0~0.5mg/L+白糖30g+活性碳 3~6g+琼脂 6g;
继代增殖培养的培养基配方为:改良MS+IBA 0~0.5mg/L+白糖 30g+琼脂 6g;
生根培养的培养基配方为:改良2/3MS+IBA 0~0.5mg/L+白糖 30g+琼脂 6g+活性碳 3~6g。
改良MS培养基配方:
改良2/3MS培养基配方
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