[发明专利]一种高效产业化生产番薯脱毒组培苗的方法无效

专利信息
申请号: 201310152349.2 申请日: 2013-04-27
公开(公告)号: CN103202232A 公开(公告)日: 2013-07-17
发明(设计)人: 朱红林;王效宁;刘迪;孟卫东;齐兰 申请(专利权)人: 海南省农业科学院粮食作物研究所
主分类号: A01H4/00 分类号: A01H4/00
代理公司: 海口翔翔专利事务有限公司 46001 代理人: 刘清莲
地址: 571100*** 国省代码: 海南;66
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摘要:
搜索关键词: 一种 高效 产业化 生产 番薯 脱毒 组培苗 方法
【权利要求书】:

1.一种高效产业化生产番薯脱毒组培苗的方法,其特征在于包括以下步骤:(1)材料培养

从大田取回待脱毒番薯的20~30㎝长的茎段,扦插在大棚苗床上,让其生长新枝;过程中,每星期浇一次营养液,每5天用50%多菌灵或百菌清500倍喷叶及周围环境,每天晚上用75%酒精喷一次周围环境,以保棚内环境清洁;待新长出的枝长到8~10㎝时,剪下新枝,重新扦插到新的培养基上,用同样的方法让它长出新枝;

(2)材料消毒

待二次扦插苗的新枝长到8㎝以上时,取两三节长的茎段,剪下后放入消毒过的密封玻璃瓶中密封,拿到超净工作台,用75%酒精浸19~20秒,再用0.1%升汞消毒5~7分钟,最后用无菌水冲洗4~5次;

(3)外植体芽诱导

切取1㎝消毒过的外植体的腋节位接种到外植体芽诱导培养基,接种后进行三天时间的暗培养,温度设28±2℃,在光周期16小时以上,光强2000LX以上;

(4)继代增值培养

外植体培养25天,薯苗长至3㎝~6㎝时,取每株生长点2~4mm单独培养于继代增殖培养基,剩余茎段单节培养于继代增殖培养基,接种后进行三天暗培养,温度设28±2℃,在光周期16小时以上,光强2000LX以上;三天后便可生根,下代再取生长点和单节茎段培养, 12~15天或20天继代一次,增殖系数可达4~5倍;

(5)病毒检测

增殖第三、四代后便进行病毒检测,首先采用目测法,淘汰弱苗和显症苗,然后随机抽样采用指示植物法进行鉴定,随机抽样脱毒率低于100%,则加大培养代数,直至随机抽样脱毒率达100%;

(6)生根培养

取每株生长点2~4mm接到生根培养基,增强光照时间和光照强度,或放在自然光下培养生根;

(7)炼苗、移栽

生根好后的苗在放在自然光下炼苗1周,再打开瓶口放3~5天,然后洗净培养基,剪去过长的根,放入0.2%高锰酸钾浸泡1~2分钟,取出凉干后,栽入培养土,然后再盖一层拱膜,每天都要让其通风排气,保持培养土湿润,湿度在80~85%,待其长到5~8片新叶移栽大田。

2.如权利要求1所述的一种高效产业化生产番薯脱毒组培苗的方法,其特征在于:

外殖体芽诱导的培养基配方为:MS+6-BA 0~0.5mg/L+IBA  0~0.5mg/L+白糖30g+活性碳 3~6g+琼脂 6g;

继代增殖培养的培养基配方为:改良MS+IBA 0~0.5mg/L+白糖 30g+琼脂 6g;

生根培养的培养基配方为:改良2/3MS+IBA 0~0.5mg/L+白糖 30g+琼脂 6g+活性碳 3~6g。

改良MS培养基配方:

成分使用浓度,单位: mg/L 硝酸铵NH4NO31700-2000硝酸钾KNO31500-1850氯化钙CaCl2·2H2O500-700硫酸镁MgSO4·7H2O100-300磷酸二氢钾KH2PO4200-400碘化钾KI0.4-1.0硼酸H3BO37-10硫酸锰MnSO4·4H2O10-30硫酸锌ZnSO4·7H2O6-12钼酸钠Na2MoO4·2H2O0.1-0.5

硫酸铜CuSO4·5H2O0.001-0.05氯化钴CoCl2·6H2O0.001-0.005硫酸亚铁FeSO4·7H2O12-30乙二胺四乙酸钠Na2-EDTA15-40肌醇50-90盐酸硫胺素0.01-0.2盐酸吡哆醇0.01-0.3甘氨酸2-4烟酸0-0.4

改良2/3MS培养基配方

成分使用浓度,单位: mg/L 硝酸铵NH4NO31100-1400硝酸钾KNO31000-1300氯化钙CaCl2·2H2O300-450硫酸镁MgSO4·7H2O100-200磷酸二氢钾KH2PO4100-200碘化钾KI0.4-1.0硼酸H3BO37-10硫酸锰MnSO4·4H2O10-30硫酸锌ZnSO4·7H2O6-12钼酸钠Na2MoO4·2H2O0.1-0.5硫酸铜CuSO4·5H2O0.001-0.05氯化钴CoCl2·6H2O0.001-0.005硫酸亚铁FeSO4·7H2O12-30乙二胺四乙酸钠Na2-EDTA15-40肌醇50-90盐酸硫胺素0.01-0.2

盐酸吡哆醇0.01-0.3甘氨酸2-4烟酸0-0.4

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