[发明专利]导电薄膜的消影方法有效
| 申请号： | 201310152173.0 | 申请日： | 2013-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN103258596A | 公开（公告）日： | 2013-08-21 |
| 发明（设计）人： | 潘中海;潘克菲 | 申请（专利权）人： | 苏州诺菲纳米科技有限公司 |
| 主分类号： | H01B13/00 | 分类号： | H01B13/00;G06F3/044 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 杨林洁 |
| 地址： | 215300 江苏省苏州市工*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种导电薄膜的消影方法，所述导电薄膜包括基板、位于基板上的电极区及位于基板上的非电极区，所述电极区形成所述导电薄膜的图案，所述电极区包括基质及纳米金属。在形成所述导电薄膜的过程中，所述消影方法包括如下步骤：(a).利用光刻胶保护膜来保护所述电极区；(b).将填充液涂布于非电极区后，进行固化；(c).用腐蚀液去除所述光刻胶保护膜，使所述非电极区和所述电极区的折射率相同或相近、雾度相差≤3%、透过率相差≤1%。本发明的有益效果是：使非电极区和电极区的折射率、雾度、透过率的差异降低，从而使电极区和非电极区具有相似的光学性质，最终使电极区边缘区域不易被人眼分辨。 | ||
| 搜索关键词： | 导电 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
一种导电薄膜的消影方法，所述导电薄膜包括基板、位于基板上的电极区及位于基板上的非电极区，所述电极区形成所述导电薄膜的图案，所述电极区包括基质及纳米金属，其特征在于，在形成所述导电薄膜的过程中，所述消影方法包括如下步骤：(a). 利用光刻胶保护膜来保护所述电极区；(b). 将填充液涂布于非电极区后，进行固化；(c). 用腐蚀液去除所述光刻胶保护膜，使所述非电极区和所述电极区的折射率相同或相近、雾度相差≤3%、透过率相差≤1%。
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