[发明专利]导电薄膜的消影方法

权利要求书

1.一种导电薄膜的消影方法，所述导电薄膜包括基板、位于基板上的电极区及位于基板上的非电极区，所述电极区形成所述导电薄膜的图案，所述电极区包括基质及纳米金属，其特征在于，在形成所述导电薄膜的过程中，所述消影方法包括如下步骤：

(a). 利用光刻胶保护膜来保护所述电极区；

(b). 将填充液涂布于非电极区后，进行固化；

(c). 用腐蚀液去除所述光刻胶保护膜，使所述非电极区和所述电极区的折射率相同或相近、雾度相差≤3%、透过率相差≤1%。

2.如权利要求1所述的导电薄膜的消影方法，其特征在于：所述填充液包括溶剂、基质物及纳米颗粒；所述溶剂为水或乙醇；所述基质物为聚甲基丙烯酸酯、聚丙烯酸酯和聚丙烯腈、聚乙烯醇、聚酯、聚氯乙烯、羟丙基甲基纤维素、或羧甲基纤维素钠；所述纳米颗粒为金属氧化物颗粒或金属纳米颗粒。

3.如权利要求2所述的导电薄膜的消影方法，其特征在于：所述溶剂的含量为95%~99%，所述基质物的含量为0.01%~3%。

4.如权利要求3所述的导电薄膜的消影方法，其特征在于：所述基质物的含量为0.05%~1%。

5.如权利要求2所述的导电薄膜的消影方法，其特征在于：所述金属氧化物颗粒为二氧化硅、二氧化钛、氧化铁、或氧化锌。

6.如权利要求2所述的导电薄膜的消影方法，其特征在于：所述纳米颗粒的大小为0.1μm ~100μm。

7.如权利要求6所述的导电薄膜的消影方法，其特征在于：所述纳米颗粒的大小为1μm ~20μm。

8.如权利要求1所述的导电薄膜的消影方法，其特征在于：所述填充液包括溶剂、基质物及表面活性剂；所述溶剂为水或乙醇；所述基质物为聚甲基丙烯酸酯、聚丙烯酸酯和聚丙烯腈、聚乙烯醇、聚酯、聚氯乙烯、羟丙基甲基纤维素、或羧甲基纤维素钠。

9.如权利要求8所述的导电薄膜的消影方法，其特征在于：所述溶剂的含量为98%~99.9%，所述基质物的含量为0.1%~2%，所述表面活性剂的含量为1ppm~20ppm。

10.如权利要求9所述的导电薄膜的消影方法，其特征在于：所述基质物的含量为0.1%~1%。

11.如权利要求1所述的导电薄膜的消影方法，其特征在于：经过步骤(c)之后，所述非电极区具有与所述电极区同种基质的绝缘纳米金属网格；或者经过步骤(c)之后，所述非电极区具有与所述电极区的基质相同或相近折射率和雾度的聚合物薄膜。

12.如权利要求11所述的导电薄膜的消影方法，其特征在于：所述纳米金属网格的方阻大于10⁶Ω/□。

13.如权利要求1所述的导电薄膜的消影方法，其特征在于：所述填充液的配制在室温下进行，将大小为1μm ~ 10μm、含量为10%的纳米银颗粒水溶液，取X1*20g溶于去离子水的混合溶液中，搅拌，再将X1*3g聚乙烯醇添加至上述溶液中，搅拌；所述X1为比例系数且数值相同。

14.如权利要求1所述的导电薄膜的消影方法，其特征在于：所述填充液的配制在室温下进行，将大小为1μm ~ 10μm、含量为10%的纳米银颗粒水溶液，取X2*20g溶于去离子水的混合溶液中，搅拌，再将X2*0.1g羟丙基甲基纤维素(HPMC)添加至上述溶液中，搅拌；所述X2为比例系数且数值相同。

15.如权利要求1所述的导电薄膜的消影方法，其特征在于：所述填充液为单纯的羟丙基甲基纤维素(HPMC)溶液或者聚酯(Vylon)溶液。

16.如权利要求13至15项中任意一项所述的导电薄膜的消影方法，其特征在于：步骤(b)中，将填充液涂布于非电极区后，在100℃的温度下烘烤10分钟进行固化；步骤(c)中，所述腐蚀液为5%的氢氧化钠的溶液，在去除所述光刻胶保护膜之后，在100℃的温度下烘烤10分钟。