[发明专利]半导体器件和制造该半导体器件的方法

摘要

本发明公开一种半导体器件和制造该半导体器件的方法，该半导体器件包括半导体基板、第一埋入式栅极和第二埋入式栅极，该半导体基板包括单元区域、第二垫区域、以及设置在第二垫区域与单元区域之间的第一垫区域，第一埋入式栅极埋入到半导体基板的沟槽中并且从单元区域延伸到第二垫区域，第二埋入式栅极埋入到半导体基板的沟槽中，设置在第一埋入式栅极的上部上方，与第一埋入式栅极的上部间隔开，并且从单元区域延伸至第一垫区域。

主权项

1.一种半导体器件，包括：半导体基板，其包括单元区域、位于所述单元区域的一侧的第二垫区域、以及设置在所述单元区域与所述第二垫区域之间的第一垫区域，所述第一垫区域是与所述单元区域和所述第二垫区域连续的；第一埋入式栅极，其埋入到沟槽中，并且从所述单元区域延伸到所述第二垫区域；第二埋入式栅极，其在所述沟槽中设置在所述第一埋入式栅极上方，与所述第一埋入式栅极的上部间隔开，并且从所述单元区域延伸至所述第一垫区域；第一金属触点，其连接至所述第一埋入式栅极的端部；以及第二金属触点，其连接至所述第二埋入式栅极的端部，其中，在所述第一垫区域和所述第二垫区域中，多个所述第一金属触点和多个所述第二金属触点以之字形的方式进行布置。